| 講演名 | 1998/1/28 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ 吉田 晃, 波頭 経裕, 石丸 喜康, 阿曽 弘之, 鈴木 秀雄, 吉田 親子, 横山 直樹, |
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| 抄録(和) | 高温超伝導論理回路用のメモリ回路を目指し、強誘電体ベース絶縁膜を持つ誘電体ベーストランジスタをメモリセルとして用いることを提案し、素子を試作した。電極配線はYBa_2Cu_3O_<7-x>高温超伝導薄膜、ベースをSrTiO_3、ベース絶縁膜をBaTiO_3を用いた。トランジスタは、電極を平面上に配置することで、複数の素子を用いて回路を構成することができるようになった。また電極の形状によって、電圧利得のある素子も得られた。また強誘電体薄膜の自発分極によると思われるメモリ効果を確認した。 |
| 抄録(英) | We proposed using DBT with ferroelectric gate insulator as a memory cell. We fabricated BaTiO_3 ferroelectric film and evaluated it as a gate insulator, The remanent polarization of the film under YBCO film was about 0.1μC/cm^2. The transistor structure was fabricated using this BaTiO_3 ferroelectric gate insulator and YBCO electrodes. Some transistor shows the voltage gain above unity, and memory effect caused by the self-polarization of the gate ferroelectrics, that was observed as shift of threshold voltage in the I-V characteristics was present. |
| キーワード(和) | 誘電体ベーストランジスタ / 強誘電体薄膜 / メモリ / YBCO |
| キーワード(英) | Dielectric base transistor / Ferroelectric film / Memory application / YBCO |
| 資料番号 | SCE97-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1998/1/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体をゲート絶縁膜に用いた誘電体ベーストランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dielectric-base transistor with ferroelectric gate insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 誘電体ベーストランジスタ / Dielectric base transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体薄膜 / Ferroelectric film |
| キーワード(3)（和/英） | メモリ / Memory application |
| キーワード(4)（和/英） | YBCO / YBCO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 晃 / A Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 波頭 経裕 / T. Hato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石丸 喜康 / Y. Ishimaru |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阿曽 弘之 / H. Aso |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 秀雄 / H. Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉田 親子 / C. Yoshida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 横山 直樹 / N. Yokoyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/1/28 |
| 資料番号 | SCE97-35 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 516 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |