| 講演名 | 1997/11/20 Dc SQUIDの磁束特性の解析 丸山 恵美, 栗城 眞也, 松田 瑞史, 栗栖 嘉之, |
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| 抄録(和) | いろいろな形状で複合インピーダンスをもつ dc SQUIDに対してI-V特性の磁束依存性を求めるため、解析的にジョセフソン接合電圧を計算する手法を考案した。簡単化のためにジョセフソン電流を正弦波電流であると近似し、dc SQUIDを四端子回路によってモデル化し、T=0Kと熱雑音を含む場合の磁束により変化するI-V特性を求めた。その結果、T=0Kでは非線型微分方程式を数値計算する方法と比較し、ほぼ一致するI-V特性を得た。また、分布定数的に振る舞うと推測される形状のSQUIDでは、特微的な構造をもつI-V特性を得ることができた。このことから、本方法は高温超伝導SQUIDのもつ強い共振現象の解明に役立つと考えられる。 |
| 抄録(英) | In order to have insight to the flux dependence of the I-V characteristics of dc SQUIDs, which have variety of configurations that may be expressed with the equivalent circuit composed of single inductance to complex impedance, we have studied analytical expressions for the voltage of the Josephson junctions of the SQUID. Assuming sinusoidal oscillating currents of the junctions for the simplification and easy-computation and using four-terminal transmission function of the SQUID impedance, the junction voltage was calculated analytically for different flux values, from which the I-V characteristics at 0 K and at finite temperatures with thermal noise were obtained. The results were in reasonable agreement with those calculated with a numerical method solving non-linear differential equations. The present method may be helpful in estimating the behavior of high-Tc SQUIDs which have strong resonance due to large parasitic capacitance and operate under high flux fluctuation. |
| キーワード(和) | dc SQUID / 高温超伝導 / 共振特性 / シミュレーション |
| キーワード(英) | dc SQUID / high-Tc / characteristics of resonance / simulations |
| 資料番号 | SCE97-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1997/11/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Dc SQUIDの磁束特性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analytical Expressions for the Flux-Dependent I-V Characteristics of DC Superconducting Quantum Interference Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | dc SQUID / dc SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | 高温超伝導 / high-Tc |
| キーワード(3)（和/英） | 共振特性 / characteristics of resonance |
| キーワード(4)（和/英） | シミュレーション / simulations |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸山 恵美 / E. Maruyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栗城 眞也 / S. Kuriki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 瑞史 / M. Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 栗栖 嘉之 / Y. Kurisu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/11/20 |
| 資料番号 | SCE97-32 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |