| 講演名 | 1997/11/20 傾角30゜のバイクリスタル接合を用いた高温超伝導SQUIDの高性能化 美濃谷 直志, 川上 覚, 円福 敬二, |
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| 抄録(和) | 傾角30゜のバイクリスタル基板を用いて高温超伝導SQUIDを製作した。T=77Kにおける傾角30゜のバイクリスタル接合の特性は接合幅W=2μmで大きな抵抗(R_s=10Ω)、高いI_oR_s積(I_oR_s=250μV)を示した。また、この特性は今回製作した17個の素子で再現性良く得ることができた。SQUIDの変調電圧では、インダクタンスがL_s=60pH、100pH、160pHでそれぞれΔV=85μV、50μV、20μVと非常に大きな変調電圧が得られた。雑音特性ではL_s=60pHのSQUIDでΦ_n=6μΦ_o/Hz^<1/2>(白色雑音領域)、f=1HzではΦ_n=110μ_o/Hz^<1/2>であった。そして、f=1Hzでの1/f雑音から求められる臨界電流の揺らぎの割合はδI_o/I_o=1.7×10^<-4>であった。この値は従来の傾角で報告されている値と同じであり、傾角に依存しないことがわかった。以上の結果は傾角30゜のバイクリスタル接合がSQIDの高性能化に有効であることを示している。 |
| 抄録(英) | A high Tc dc SQUID was fabricated using a bicrystal junction with a misorientation angle of θ=30°. The 30°bicrystal junction exhibited high resistance (R_s=10Ω) and high I_oR_S product (I_oR_s=250μV) at T=77K when junction width is 2μm. These values were obtained reproductively in 17 samples we have made so far. The voltage modulation depth of the SQUID was as high as ΔV=85μV, 50μV, and 20μV for the inductance value L_s =60pH, 100pH and 160pH respectively. Preliminary noise measurement showed that the flux noise of the SQUID was about 6μΦ_o/Hz^<1/2> for the while noise region, and 110μ_o/Hz^<1/2> at f=1Hz when the 60pH-SQUID was dc biased and operated with a conventional FLL circuit. From the 1/f noise of the SQUID at f=1Hz, we found that the normalized fluctuation of the critical current is δI_o/I_o=1.7×10^<-4>. This value is the same as those reported for 24°and 36.8°bicrystal junction. These results indicate that the 30°bicrytal junction is useful for the development of high performance SQUID. |
| キーワード(和) | 高温超伝導のSQUID / バイクリスタル接合 / 電圧-磁束特性 / 雑音磁束 |
| キーワード(英) | High Tc SQUID / bicrystal junction / V-Φ curve / flux noise |
| 資料番号 | SCE97-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1997/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 傾角30゜のバイクリスタル接合を用いた高温超伝導SQUIDの高性能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance of High Tc dc SQUID Utilizing a Bicrystal Junction with a 30°Misorientation Angle |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高温超伝導のSQUID / High Tc SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | バイクリスタル接合 / bicrystal junction |
| キーワード(3)（和/英） | 電圧-磁束特性 / V-Φ curve |
| キーワード(4)（和/英） | 雑音磁束 / flux noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 美濃谷 直志 / T. Minotani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻 Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川上 覚 / S. Kawakami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻 Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 円福 敬二 / K Enpuku |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 電子デバイス工学専攻 Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 1997/11/20 |
| 資料番号 | SCE97-31 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |