| 講演名 | 1997/7/30 CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(11^^-02)上のエピタキシャルEuBa_2Cu_3O_7薄膜の作製 横澤 篤史, 若菜 裕紀, 河内 正治, 道上 修, |
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| 抄録(和) | Al_2O_3(11^^-02)基板上のCeO_2のエピタキシャル成長と, 上層のEuBa_2Cu_3O_7(EBCO)の成長方位と超伝導性に与えるCeO_2バッファ層の効果を調べた. CeO_2とEBCOはそれぞれRF, DCマグネトロンスパッタリング法を用いて作製し, X線回折装置(θ-2θスキャン, φスキャン), 原子間力顕微鏡(AFM)で解析した. エピタキシャル(100)配向のCeO_2が50～400Åの膜厚のとき, 上層のEBCO薄膜は, T_ |
| 抄録(英) | Epitaxial growth of CeO_2 films on Al_2O_3(11^^-02) substrates and the effect of CeO_2 buffer layers on the growth orientation and superconducting properties of EuBa_2Cu_3O_7(EBCO) were investigated. CeO_2 and EBCO films were prepared by RF and DC magnetoron sputtering, respectively, and were characterized by X-ray diffraction (θ-2θ scan and φ scan), atomic force microscopy (AFM). The EBCO films deposited on epitaxial (100) oriented CeO_2 50～400Å thick buffer layers had T_ |
| キーワード(和) | EuBa_2Cu_3O_7薄膜 / CeO_2薄膜 / バッファ層 / サファイア基板 / マグネトロンスパッタリング |
| キーワード(英) | EuBa_2Cu_3O_7 thin film / CeO_2 thin film / buffer layer / sapphire substrate / magnetron sputtering |
| 資料番号 | sce97-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1997/7/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(11^^-02)上のエピタキシャルEuBa_2Cu_3O_7薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial EuBa_2Cu_3O_7 Thin Films Grown on Al_2O_3(11^^-02) Substrate with CeO_2 Buffer Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | EuBa_2Cu_3O_7薄膜 / EuBa_2Cu_3O_7 thin film |
| キーワード(2)（和/英） | CeO_2薄膜 / CeO_2 thin film |
| キーワード(3)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / sapphire substrate |
| キーワード(5)（和/英） | マグネトロンスパッタリング / magnetron sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横澤 篤史 / Atsushi Yokosawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若菜 裕紀 / Hironori Wakana |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河内 正治 / Masaharu Kawachi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 道上 修 / Osamu Michikami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Faculty of Engineering, Iwate University |
| 発表年月日 | 1997/7/30 |
| 資料番号 | sce97-23 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 219 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |