講演名 | 1997/7/30 エピタキシャルNb薄膜の作製と特性評価 松田 瑞史, 松本 学, 種田 教雄, 平山 文紀, 栗城 真也, |
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抄録(和) | dcマグネトロンスパッタ法及び超高真空電子ビーム蒸着法により, 500℃以上に加熱した単結晶サファイア基板(11^^-02)面上にNbをエピタキシャル成長させることで, 単結晶的な薄膜を得た. 常伝導抵抗が小さく表面が非常に平坦なこれらのエピタキシャル薄膜の磁気的な特性について調べた結果, 多結晶Nb薄膜と比べて磁場侵入長が小さく, GLコヒーレンス長が大きい等の優れた性質を有していることがわかった. |
抄録(英) | Single-crystal-like Nb films with low normal state resistivities were grown epitaxially on (11^^-02) sapphire substrates at above 500℃ by either a dc magnetron sputtering or an electron-beam evaporation method. Prepared Nb films have very flat surface, shorter magnetic penetration depths (λ) and longer superconducting coherence lengths (ξ_ |
キーワード(和) | Nb薄膜 / エピタキシャル成長 / 残留抵抗比 / 磁場侵入長 / 磁化特性 |
キーワード(英) | Nb film / epitaxial growth / residual resistance ratio / penetration depth / magnetization properties |
資料番号 | sce97-17 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SCE |
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開催期間 | 1997/7/30(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | エピタキシャルNb薄膜の作製と特性評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication and characterization of epitaxial Nb films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Nb薄膜 / Nb film |
キーワード(2)(和/英) | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
キーワード(3)(和/英) | 残留抵抗比 / residual resistance ratio |
キーワード(4)(和/英) | 磁場侵入長 / penetration depth |
キーワード(5)(和/英) | 磁化特性 / magnetization properties |
第 1 著者 氏名(和/英) | 松田 瑞史 / M. Matsuda |
第 1 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 松本 学 / M. Matsumoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 種田 教雄 / N. Taneda |
第 3 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 平山 文紀 / F. Hirayama |
第 4 著者 所属(和/英) | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
第 5 著者 氏名(和/英) | 栗城 真也 / S. Kuriki |
第 5 著者 所属(和/英) | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
発表年月日 | 1997/7/30 |
資料番号 | sce97-17 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 219 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |