| 講演名 | 2001/8/31 Ni-Fe裏打ち軟磁性層の多層膜化による低ノイズ垂直磁気記録媒体の開発 孔 碩賢, 中川 茂樹, |
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| 抄録(和) | Ni-Fe裏打ち軟磁性層における軟磁気特性の改善と表面粗さの改善及び軟磁性層に起因するノイズの抑制を達成するためにNi-Fe裏打ち軟磁性層をamorphous Siを用いて[Ni-Fe/Si]n多層膜を作製した。その結果、軟磁性層のstripe domainのような表面磁区構造形成の抑制およびCo-Cr-Ta記録層の高い結晶配向性や垂直保磁力、磁性粒子の微細化が達成された。 |
| 抄録(英) | Multilayers composed of Ni-Fe and amorphous Si interlayers were prepared in order to improve soft magnetic properties and surface smoothness and reduce media noise originated from the domain walls in the soft magnetic backlayer. The surface magnetic structure, like stripe domains, of the soft magnetic backlayer was restrained. Excellent c-axis orientations as well as a high perpendicular coercivity of Co-Cr-Ta recording layer were attained. It was revealed that [Ni-Fe/Si]n multiplayer was suitable for improving the characteristic of backlayer. |
| キーワード(和) | Ni-Fe裏打ち軟磁性層 / amorphous Si / [Ni-Fe/Si]n多層膜 / ストライプ磁区 / Co-Cr-Ta記録層 |
| キーワード(英) | Ni-Fe soft magnetic backlayer / amorphous Si / [Ni-Fe/Si]n multilayers / stripe domain / Co-Cr-Ta recording layer |
| 資料番号 | MR2001-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2001/8/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ni-Fe裏打ち軟磁性層の多層膜化による低ノイズ垂直磁気記録媒体の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Low Noise Perpendicular Magnetic Recording Media by Improvement of [Ni-Fe/Si]n Multilayers Soft Magnetic Properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ni-Fe裏打ち軟磁性層 / Ni-Fe soft magnetic backlayer |
| キーワード(2)（和/英） | amorphous Si / amorphous Si |
| キーワード(3)（和/英） | [Ni-Fe/Si]n多層膜 / [Ni-Fe/Si]n multilayers |
| キーワード(4)（和/英） | ストライプ磁区 / stripe domain |
| キーワード(5)（和/英） | Co-Cr-Ta記録層 / Co-Cr-Ta recording layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 孔 碩賢 / Kong sok-hyun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/8/31 |
| 資料番号 | MR2001-22 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 284 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |