講演名 2000/8/29
酸化物単結晶基板を用いたCoCrPt垂直単結晶薄膜の作製
寺山 公太, 佐藤 勝昭, 平山 義幸, 稲葉 信幸, 二本 正昭,
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抄録(和) CoCrPt垂直単結晶薄膜を酸化物単結晶基板上に作製し、 CoCrPt薄膜のエピタキシャル成長について検討した。Al_2O_3(0001)単結晶基板上に非磁性CoCr_<25>Ru_<25>下地膜を介してCoCr_<19>Pt_<10>磁性膜をスパッタすると、c軸が膜面に対して垂直なエピタキシャル単結晶膜が得られた。微細構造を透過型電子顕微鏡を用いて、膜面内のCoCr_<19>Pt_<10>薄膜と基板との結晶方位関係をX線極点図測定により、解析した。 CoCrPt単結晶薄膜のエピタキシャル成長に基板と下地層が重要な役割を果たすことがわかった。
抄録(英) CoCrPt single crystal thin films were prepared on single crystal substrates of Al_2O_3, LaAlO_3, and SrTiO_3. A good single crystal of c-axis oriented CoCr_<19>Pt_<10> thin film was obtained on Al_2O_3(0001) substrate, when the CoCr_<19>Pt_<10> film was deposited via a non-magnetic CoCr_<25>Ru_<25> underlayer. Structural analyses were carried out by X-ray diffraction and transmission electron microscopy. The epitaxial relationships between the magnetic layer and the substrate were determined for respective oxide substrates. It is elucidated that the substrate and the non-magnetic underlayer play important roles for the growth of CoCrPt single crystal thin film with good crystallographic quality.
キーワード(和) 酸化物単結晶基板 / Co系磁性膜 / エピタキシャル成長 / 単結晶薄膜
キーワード(英) oxide single crystal substrate / Co-alloy film / epitaxial growth / single crystal thin film
資料番号 MR2000-19
発行日

研究会情報
研究会 MR
開催期間 2000/8/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Magnetic Recording (MR)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 酸化物単結晶基板を用いたCoCrPt垂直単結晶薄膜の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of c-axis oriented CoCrPt single crystal thin films on oxide single crystal substrates
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 酸化物単結晶基板 / oxide single crystal substrate
キーワード(2)(和/英) Co系磁性膜 / Co-alloy film
キーワード(3)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth
キーワード(4)(和/英) 単結晶薄膜 / single crystal thin film
第 1 著者 氏名(和/英) 寺山 公太 / K. Terayama
第 1 著者 所属(和/英) 東京農工大学 工学部
Faculty of Technology, Tokyo Univ. of Agri. & Tech.
第 2 著者 氏名(和/英) 佐藤 勝昭 / K. Sato
第 2 著者 所属(和/英) 東京農工大学 工学部
Faculty of Technology, Tokyo Univ. of Agri. & Tech.
第 3 著者 氏名(和/英) 平山 義幸 / Y. Hirayama
第 3 著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 稲葉 信幸 / N. Inaba
第 4 著者 所属(和/英) 日立マクセル
Tsukuba Research Laboratory, Hitachi Maxell Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 二本 正昭 / M. Futamoto
第 5 著者 所属(和/英) 日立製作所 中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.
発表年月日 2000/8/29
資料番号 MR2000-19
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 277
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日