| 講演名 | 2000/7/7 MR2000-14 Si下地層によるCo/Cu多層膜のGMR特性改善 斉藤 弘幸, 清水 優, 中川 茂樹, 直江 正彦, |
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| 抄録(和) | Si下地層を用いたCo/Cu多層膜は、他の下地層を用いた多層膜に比べ、優れた結晶配向性と低い抵抗率を示した。しかし、その周期性や界面の状態はNi-Fe下地層を用いた多層膜よりも劣っていた。そのために、その低効率は低いものの抵抗率の変化量は大きくならなかった。アニール処理をすることにより周期性や界面の状態が改善され、Ni-Fe下地層を用いた多層膜のMR ratio(15.5%)よりも大きいMR ratio(17.1%)を得ることができた。 |
| 抄録(英) | Co/Cu multilayers using Si buffer layer revealed good crystallinity and lower resistivity than ones using other buffer layers. But the periodicity and the sharpness at the interface between each layer were not as good as those in the multilayer using Ni-Fe buffer. Therefore the multilayer using Si buffer bcame lower resistivity but slightly smaller change of resistivity. The annealing process improved the periodicity and the sharpness at the interface in the Co/Cu multilayer using Si buffer, and the value of MR ratio in the multilayer using Si buffer(17.1%) became lager than that with Ni-Fe(15.5%). |
| キーワード(和) | 巨大磁気抵抗効果 / Co/Cu多層膜 / Si下地層 / アニール |
| キーワード(英) | Giant Magnetoresistance / Co/Cu multilayer / Si buffer layer / annealing |
| 資料番号 | MR2000-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2000/7/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MR2000-14 Si下地層によるCo/Cu多層膜のGMR特性改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of GMR Characteristics of Co/Cu Multilayer Using Si Buffer Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 巨大磁気抵抗効果 / Giant Magnetoresistance |
| キーワード(2)（和/英） | Co/Cu多層膜 / Co/Cu multilayer |
| キーワード(3)（和/英） | Si下地層 / Si buffer layer |
| キーワード(4)（和/英） | アニール / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 弘幸 / Hiroyuki SAITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻中川研究室 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清水 優 / Yutaka SHIMIZU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻中川研究室 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中川 茂樹 / Shigeki NAKAGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻中川研究室 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 直江 正彦 / Masahiko NAOE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻中川研究室 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/7/7 |
| 資料番号 | MR2000-14 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 188 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |