| 講演名 | 2000/7/7 MR2000-13 アモルファス下地層付与による垂直磁気記録単層媒体の微細構造制御 尾上 貴弘, 朝日 透, 奥尾 洋保, 森田 善幸, 逢坂 哲爾, |
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| 抄録(和) | 下地層としてC, Si, Ge, Ti_<90>, Cr_<10>を用いた垂直磁気記録単層媒体を作製し, これらの媒体の微細構造, 電磁変換特性を評価した.今回の検討から下地層膜厚は垂直記録層の微細構造に大きな影響を及ぼすことが明らかとなり, Δθ_<50>値の大きい媒体ほど高いSN比が得られた.さらに, Δθ_<50>の増大と同時に保磁力の増大が確認された.この保磁力の増大は粒子間の交換結合の低減に起因するものと考えられ, 電磁変換特性における高SN化の一因であると考えられる.また, 下地層膜厚変化に伴う垂直磁化層の微細構造変化の要因について表面ラフネス, 表面エネルギーの観点から考察を行った. |
| 抄録(英) | Perpendicular single-layered media, which were prepared by using amorphous underlayers, were investigated in terms of their microcrystalline structure and read-write characteristics. The underlayer thickness strongly affected the microcrystalline structure of a CoCrPtTa layer. The media having large Δθ_<50> value showed an excellent SN value. Furthermore, the coercivity value increased with increasing Δθ_<50> value. The low intergranular exchange coupling would increase the coercivity value and lead to SN value improvement. The mechanism of microcrystalline change with increasing underlayer thickness was also discussed from the viewpoint of surface roughness and surface energy. |
| キーワード(和) | 垂直磁気記録 / 垂直単層媒体 / アモルファス下地層 / 結晶配向分散 / 交換結合 |
| キーワード(英) | perpendicular magnetic recording / perpendicular single-layered medium / amorphous underlayer / dispersion of crystalline orientation / exchange coupling |
| 資料番号 | MR2000-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2000/7/7(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MR2000-13 アモルファス下地層付与による垂直磁気記録単層媒体の微細構造制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Microcrystalline Structure of a Perpendicular Single-Layered Medium by Using Amorphous Underlayers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直磁気記録 / perpendicular magnetic recording |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直単層媒体 / perpendicular single-layered medium |
| キーワード(3)（和/英） | アモルファス下地層 / amorphous underlayer |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶配向分散 / dispersion of crystalline orientation |
| キーワード(5)（和/英） | 交換結合 / exchange coupling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尾上 貴弘 / T. Onoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science & Engineering, Waseda University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 朝日 透 / T. Asahi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学各務記念材料技術研究所 Kagami Memorial Laboratory for Materials Science & Technology, Waseda University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 奥尾 洋保 / H. Okuo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学総合研究センター:ゼブラ株式会社 Advanced Research Chenter for Science & Engineering, Waseda University:ZEBRA Co.LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森田 善幸 / Y. Morita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science & Engineering, Waseda University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 逢坂 哲爾 / T. Osaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部:早稲田大学各務記念材料技術研究所:早稲田大学理工学総合研究センター School of Science & Engineering, Waseda University:Kagami Memorial Laboratory for Materials Science & Technology, Waseda University:Advanced Research Chenter for Science & Engineering, Waseda University |
| 発表年月日 | 2000/7/7 |
| 資料番号 | MR2000-13 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 188 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |