講演名 2000/7/7
MR2000-12 スピンスプレーめっき法によるCoNiフェライト磁気記録媒体の作製
張 福春, 北本 仁孝, 阿部 正紀,
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抄録(和) スピンスプレーフェライトめっき法でCoNiフェライト垂直磁気記録薄膜を作製し, 垂直保磁力H_と角型比(M_r/M_s)_⊥を向上させるためにめっき溶液条件を調査した.膜の堆積速度を最適化するほかに, 酸化剤濃度の調節で膜中のFe^<2+>イオンとFe^<3+>イオンのモル比率を最適化し, また, 緩衝剤CH_3COONH_4の濃度変化で酸化剤のpHを最適化し, その結果, 膜のH_と(M_r/M_s)_⊥がそれぞれ3200Oeと0.6になった.媒体の再生出力波形はシングルパルスから垂直磁気記録媒体特有のダイパルス状になって, 再生出力特性も改善された.
抄録(英) CoNi ferrite thin films were prepared for perpendicular magnetic recording media by spin-spray ferrite-plating method. In this paper, solution conditions for CoNi ferrite plating were optimized to increase coercivity H_ and remanence ratio (M_r/M_s)_⊥ in perpendicular direction to the film plane. By adjusting the deposition rate, the concentration of NaCo_2 to optimize the ratio of Fe^<2+> to Fe^<3+> in the films and the concentration of CH_3COONH_4 to optimize pH in oxidizing solution, CoNi ferrite films with H_ of 3200 Oe and (M_r/M_s)_⊥ of 0.6 were obtained without any heat-treatment. Disk media exhibited reproduced waveforms of di-pluse shape and better frequency responses.
キーワード(和) Coフェライト / 垂直磁気記録 / スピンスプレー / めっき法
キーワード(英) Co ferrite / perpendicular magnetic recording / spin-spray ferrite plating
資料番号 MR2000-12
発行日

研究会情報
研究会 MR
開催期間 2000/7/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Magnetic Recording (MR)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MR2000-12 スピンスプレーめっき法によるCoNiフェライト磁気記録媒体の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Solution conditions for CoNi ferrite perpendicular magnetic recording thin films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Coフェライト / Co ferrite
キーワード(2)(和/英) 垂直磁気記録 / perpendicular magnetic recording
キーワード(3)(和/英) スピンスプレー / spin-spray ferrite plating
キーワード(4)(和/英) めっき法
第 1 著者 氏名(和/英) 張 福春 / Fuchun Zhang
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電子物理工学科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 北本 仁孝 / Yoshitaka Kitamoto
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電子物理工学科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 阿部 正紀 / Masanori Abe
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電子物理工学科
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2000/7/7
資料番号 MR2000-12
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 188
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日