講演名 1994/9/22
極薄NiFe膜のストライプパターンにおける透磁率
山川 清志, 高橋 慎吾, 本多 直樹, 大内 一弘,
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抄録(和) 垂直磁気記録用単磁極ヘッドの高分解能化には、他の磁気ヘッドと同様に微小な磁極パターン状態で高透磁率を示す軟磁性材料が求められる。このため、膜厚が20nmから60nmの単層及びTiを中間層とする二層NiFe薄膜において、幅を200μmから1μmまで狭めたときの高周波透磁率について調べた。単層膜の狭ストライプ幅では膜厚の薄いほど高い透磁率を示した。また、二層膜では透磁率が極大となるストライプ層が存在し、その幅は中間層厚が薄くなるに連れて狭くなることが見いだされた。透磁率の極大はストライプの磁区構造が多磁区状態から単磁区状態へ遷移することに関連すると推察される。ストライプ幅2μmのNiFe20nm, Ti2nm/NiFe2nm膜で透磁率1500を得た。
抄録(英) The high permeability in the extreamely small size of the magmetic thin films is required for a perpendicular recording head to obtain ultra high reproducing resolution.We have been measured the permeability of nonlaminated and bilaminated NiFe strips with thickness from 20nm to 60nm as a function of strip width ranging from 200μm to 1μm.For the nonlaminated strips,the reduction in pe rmeablity with decreasing strip width become small as the film thickness was reduced.On the other hand the permeabity for the strip laminated with Ti showed the maximum value at the strip width relating to the Ti interlayer thickness,which was narrowed as the interlayer thickness was decreased.The maximum permeability is presumed to correspond with the transition of the domai stracture in the strip from multi-state to single-state.The high permeability of 1500 was obtained even for the 2μm width of NiFe20 ra, Ti2nm/NiFe20nm strip.
キーワード(和) NiFe / ストライプ / 二層膜 / 透磁率 / 単磁極ヘッド / 磁区構造
キーワード(英) NiFe / strip / bilaminated NiFe / permeability / head / domain structure
資料番号 MR94-28
発行日

研究会情報
研究会 MR
開催期間 1994/9/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Magnetic Recording (MR)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 極薄NiFe膜のストライプパターンにおける透磁率
サブタイトル(和)
タイトル(英) Permeability in narrow strips of ultra thin NiFe films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) NiFe / NiFe
キーワード(2)(和/英) ストライプ / strip
キーワード(3)(和/英) 二層膜 / bilaminated NiFe
キーワード(4)(和/英) 透磁率 / permeability
キーワード(5)(和/英) 単磁極ヘッド / head
キーワード(6)(和/英) 磁区構造 / domain structure
第 1 著者 氏名(和/英) 山川 清志 / Kiyoshi Yamakawa
第 1 著者 所属(和/英) 秋田県高度技術研究所
Akita Research Institute of Advanced Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 高橋 慎吾 / Shingo Takahashi
第 2 著者 所属(和/英) 秋田県高度技術研究所
Akita Research Institute of Advanced Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 本多 直樹 / Naoki Honda
第 3 著者 所属(和/英) 秋田県高度技術研究所
Akita Research Institute of Advanced Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 大内 一弘 / Kazuhiro Ouchi
第 4 著者 所属(和/英) 秋田県高度技術研究所
Akita Research Institute of Advanced Technology
発表年月日 1994/9/22
資料番号 MR94-28
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 256
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日