| 講演名 | 1994/9/22 高保磁力フェライト膜の作製とリジッドディスク媒体への応用 野間 賢二, 松下 伸広, 中川 茂樹, 直江 正彦, |
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| 抄録(和) | スパッタ法を用いてハードディスクの高密度化技術の鍵となるフェライト膜を作製し,磁気特性の改善を行った.垂直記録媒体用のBaフェライト・スパッタ膜は,Xeスパッタを用いることにより保磁力を2kOe程度に抑制しつつ飽和磁化を改善できることが示された.また,Co系フェライト膜においては,3～4kOeと記録媒体としては高すぎる保磁力を,CoイオンのZnとの置換により1～4kOeの間で連続的に制御できることを示し,実際にCo-Znフェライト膜を用いて作製したハードディスクの記録再生実験を行ったところ,膜の結晶性及び保磁力の大きさが記録密度特性に大きく影響することを示した. |
| 抄録(英) | The ferrite thin films for high density rigid disk media were deposited by using sputtering system and their magnetic properties were improved.Ba ferrite films for perpendicular magnetic recording media deposited by using Xe as sputtering gas possessed large saturation magnetization 4πM_S of 4.9 kG.The coercivity H_C of Co ferrite films were controllable from 4 kOe to 1 kOe by substituting Zn ions for Co ones.It was also confirmed that the read, write characteristics of Co-Zn ferrite thin film disks were affected by the crystallinity and the coercivity of films. |
| キーワード(和) | Baフェライト膜 / 垂直磁気記録 / Co-Znフェライト膜 / 等方性磁気記録 / リジッ ドディスク媒体 / 記録再生特性 |
| キーワード(英) | Ba ferrite film / perpendicular recording media / Co-Zn ferrite film / isotropic recording system / rigid disk media / read/write characteristics |
| 資料番号 | MR94-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 1994/9/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高保磁力フェライト膜の作製とリジッドディスク媒体への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of ferrite thin films with high coercivity and application for rigid disk media. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Baフェライト膜 / Ba ferrite film |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直磁気記録 / perpendicular recording media |
| キーワード(3)（和/英） | Co-Znフェライト膜 / Co-Zn ferrite film |
| キーワード(4)（和/英） | 等方性磁気記録 / isotropic recording system |
| キーワード(5)（和/英） | リジッ ドディスク媒体 / rigid disk media |
| キーワード(6)（和/英） | 記録再生特性 / read/write characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野間 賢二 / Kenji Noma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical Electronics,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松下 伸広 / Nobuhiro Matsushita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical Electronics,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical Electronics,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 直江 正彦 / Masahiko Naoe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical Electronics,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/9/22 |
| 資料番号 | MR94-24 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 256 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |