| 講演名 | 1996/3/1 ゾル・ゲル法によって作製されるBi_2O_3-Fe_2O_3-PbTiO_3系アモルファス酸化物薄膜の強磁性と強誘電性 和田 貴也, 徳永 雄一, 加島 篤, 井上 光輝, 藤井 壽崇, ジェヤデバン B., 田路 和幸, |
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| 抄録(和) | 我々は以前、高周波反応性スパッタ法で成膜されるBi_2O_3-Fe_2O_3-ABO_3 (ABO_3: BaTiO_3, PbTiO_3, PbZrO_3)三元系酸化物薄膜が、Fe_2O_3-rich な狭い組成領域および700℃近傍の熱処理温度でアモルファス状態を実現し、そこで明瞭な磁気ヒステリシスおよび誘電ヒステリシスを示すことを報告した。今回、ABO_3にPbTiO_3を選んだ系に対してゾル・ゲル法を用いて薄膜を作製し、磁気、誘電特性を調べた結果、ゲル・コーティング膜においてもスパッタ膜と類似の特性を実現した。またこのような顕著な物性をもつ薄膜試料の微細構造をEXAFSで調べ、これらの試料が結晶学的構造の乱れたアモルフアス構造をもつことが分かった。したがってこれらの物性の発現はスピングラス状態における強いフラストレーションに起因していると推察される。 |
| 抄録(英) | Previously we reported that films with the ternary oxide system of Bi_2O_3-Fe_2O_3-ABO_3 (ABO_3: BaTiO_3, PbTiO_3, PbZrO_3 etc.) prepared by rf-reactive sputtering exhibit distinct magnetic as well as dielectric hysteresis loops simultaneously above room temperature only when the films have Fe_2O_3 concentration around 70% after subject to thermal annealing around 700℃. In this study, we have prepared the same oxide system films by sol-gel method, where PbTiO_3 was chosen for ABO_3. It is found that gel-coated films onto glass plates and/or Si-wafers also possesses similar properties to those rf-sputtered films. Microstructure or the films was examined by EXAFS. It may be concluded that the amorphous state is essential for realizing these properties, presumably caused by strong frustration in glassy antiferromagnet. |
| キーワード(和) | アモルファス / 強磁性 / 強誘電性 |
| キーワード(英) | amorphous / ferromagnetism / ferroelectricity |
| 資料番号 | MR95-98,CPM95-136 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 1996/3/1(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゾル・ゲル法によって作製されるBi_2O_3-Fe_2O_3-PbTiO_3系アモルファス酸化物薄膜の強磁性と強誘電性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferromagnetism and Ferroelectricity of Bi_2O_3-Fe_2O_3-PbTiO_3 Amorphous Oxide Films Prepared by Sol-Gel Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(2)（和/英） | 強磁性 / ferromagnetism |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電性 / ferroelectricity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 和田 貴也 / Takaya Wada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳永 雄一 / Yuichi Tokunaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加島 篤 / Atsushi Kajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北九州工業高等専門学校 Kitakyushu National College of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 光輝 / Mitsuteru Inoue |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤井 壽崇 / Toshitaka Fujii |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学:東北大学 Toyohashi University of Technology:Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | ジェヤデバン B. / B. JEYADEVAN |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学 Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田路 和幸 / Kazuyuki Tohji |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学 Tohoku University |
| 発表年月日 | 1996/3/1 |
| 資料番号 | MR95-98,CPM95-136 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 549 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |