| 講演名 | 1996/2/29 高密度光ディスク用630nm帯赤色半導体レーザ 吉年 慶一, 茨木 晃, 庄野 昌幸, 別所 靖之, 広山 良治, 新名 達彦, |
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| 抄録(和) | AlGaInP半導体レーザは、高密度光ディスク用として、短波長, 低動作電流, 高温動作、及び低雑音特性が要求されている。我々は、630nm帯AlGaInP系赤色半導体レーザにおいて、初めて活性層に歪補償型 MQW 構造を導入することにより、シングルモード素子で、しきい値電流33mA, 自励発振型素子で、しきい値電流48mA, 相対雑音強度(RIN) 7×10^<-14>Hz^<-1> 以下の特性を実現することができた。 |
| 抄録(英) | AlGaInP laser diodes with a shorter wavelength, a low threshold current, a high maximum operating temperature and low noise are strongly desired as light sources for high-density optical disc systems. A 630-nm band AlGaInP red laser diode, which fulfills these demands, was realized, for the first time, by introducing strain-compensated MQW active layer with compressively strained quantum barriers and tensile strained quantum wells. The following characteristics have been obtained : a threshold current of 33mA in the single mode laser diode, and a threshold current of 48mA and relative intensity noise (RIN) below 7×10^<-14>Hz^<-1> in the sellf-pulsating laser diode. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / シングルモード / 自励発振 / 多重量子井戸 / AlGaInP |
| キーワード(英) | semiconductor laser / single-mode / self-sustained pulsation / multiple quantum well / AlGaInP |
| 資料番号 | MR95-86,CPM95-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 1996/2/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度光ディスク用630nm帯赤色半導体レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 630-nm-band Red Laser Diodes for High Density Optical Disc Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | シングルモード / single-mode |
| キーワード(3)（和/英） | 自励発振 / self-sustained pulsation |
| キーワード(4)（和/英） | 多重量子井戸 / multiple quantum well |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaInP / AlGaInP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉年 慶一 / K. Yodoshi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 茨木 晃 / A. Ibaraki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 庄野 昌幸 / M. Shono |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 別所 靖之 / Y. Bessho |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 広山 良治 / R. Hiroyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 新名 達彦 / T. Niina |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1996/2/29 |
| 資料番号 | MR95-86,CPM95-124 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 548 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |