講演名 | 1997/9/2 Co-Cr/Cr系高密度長手記録媒体の強磁性層の特性評価 畠山 大, 高山 和久, 中川 茂樹, 直江 正彦, |
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抄録(和) | 面内磁気記録媒体であるCo_<83>Cr_<17>/Cr二層膜におけるCo_<83>Cr_<17>層中の一部を常磁性組成のCo_<67>Cr_<33>層に置き換えることによって、強磁性層中の磁気特性の膜厚方向における分布や界面付近の磁気特性を評価した。その結果、Cr層上に直かに堆積させた層よりはCr面上に50Å程度のCo_<67>Cr_<33>層を挿入されたCo_<83>Cr_<17>層の方が高いH_ |
抄録(英) | In order to clarify the influence of the initial growth region in Co-Cr layer for Co-Cr/Cr longitudinal recording media, the paramagnetic Co_<67>Cr_<33> intermediate layers were deposited between Co_<83>Cr_<17> recording layer and Cr underlayer. Trilayered films with 50 Å-thick Co_<67>Cr_<33> intermediate layer revealed higher H_ |
キーワード(和) | 長手磁気記録媒体 / 初期成長領域 / Co_<67>Cr_<33>中間層 / 面内方向保磁力 / 反転磁界分布(SFD) |
キーワード(英) | longitudinal recording media / initial growth region / Co_<67>Cr_<33> intermediate layer / in-plane coercivity / SFD |
資料番号 | MR97-23 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MR |
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開催期間 | 1997/9/2(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Co-Cr/Cr系高密度長手記録媒体の強磁性層の特性評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Evaluation of the ferromagnetic layer in Co-Cr/Cr films for longitudinal recording media |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 長手磁気記録媒体 / longitudinal recording media |
キーワード(2)(和/英) | 初期成長領域 / initial growth region |
キーワード(3)(和/英) | Co_<67>Cr_<33>中間層 / Co_<67>Cr_<33> intermediate layer |
キーワード(4)(和/英) | 面内方向保磁力 / in-plane coercivity |
キーワード(5)(和/英) | 反転磁界分布(SFD) / SFD |
第 1 著者 氏名(和/英) | 畠山 大 / Masaru HATAKEYAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical electronics, Faculty of engineering, Tokyo institute of technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 高山 和久 / Kazuhisa TAKAYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical electronics, Faculty of engineering, Tokyo institute of technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中川 茂樹 / Shigeki NAKAGAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical electronics, Faculty of engineering, Tokyo institute of technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 直江 正彦 / Masahiko NAOE |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京工業大学工学部電子物理工学科 Department of physical electronics, Faculty of engineering, Tokyo institute of technology |
発表年月日 | 1997/9/2 |
資料番号 | MR97-23 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 245 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |