| 講演名 | 1996/7/19 CoFeスピンバルプを用いたGMR記録再生一体ヘッド 與田 博明, 岩崎 仁志, 佐橋 政司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高耐熱・高感度を合わせ持つCoFeスピンバルプ再生部に、高Bsトレンチ磁極構造記録部を一体化し、ギガビット時代の二つのキーテクノロジー、GMR再生、狭トラック高Bs記録を盛り込んだ1μmトラック幅記録再生ヘッドを設計、試作し、 7500Oe の高記録磁界の発生と1μmトラック幅で1.3mVppの高再生出力を確認した。100℃で、300Oeと大きな交換バイアス磁界をもち、また耐蝕性の良好なIrMn反強磁性体も合わせて適用、GMRヘッド実用化の道を切り開いた。 |
| 抄録(英) | We have succeeded in designing, fabricating, and testing, GMR/high Bs inductive heads using CoFe spin-valves with good thermal stability of the interfaces as well as high sensitivity. The heads generated large magnetic field of 7500Oe and had large output of 1.3mVpp at 1.0μm narrow trackwidth. IrMn antiferromagnets with large exchange bias of 300Oe at 100℃ and crrosion resistance were also incorporated in the heads. As a results, GMR heads technology were materialized for practicaluse. |
| キーワード(和) | GMR / CoFe / スピンバルプ / 高Bs / IrMn 反強磁性体 |
| キーワード(英) | GMR / CoFe spin-valves / high Bs / IrMn antiferromagnets |
| 資料番号 | MR96-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
|---|---|
| 開催期間 | 1996/7/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CoFeスピンバルプを用いたGMR記録再生一体ヘッド |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DUAL-ELEMENT GMR/INDUCTIVE HEADS USING CoFe SPIN-VALVES |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GMR / GMR |
| キーワード(2)（和/英） | CoFe / CoFe spin-valves |
| キーワード(3)（和/英） | スピンバルプ / high Bs |
| キーワード(4)（和/英） | 高Bs / IrMn antiferromagnets |
| キーワード(5)（和/英） | IrMn 反強磁性体 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 與田 博明 / H. Yoda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Materials and Devices Research Laboratories Toshiba R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩崎 仁志 / H. Iwasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Materials and Devices Research Laboratories Toshiba R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐橋 政司 / M. Sahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Materials and Devices Research Laboratories Toshiba R&D Center |
| 発表年月日 | 1996/7/19 |
| 資料番号 | MR96-15 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 166 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |