講演名 2002/1/18
単偏光板式反射型TN-LCDの高性能化
福田 一郎, 柚木 信治, 井添 崇,
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抄録(和) 高機能携帯用情報端末などのディスプレイとして、低消費電力・薄型・軽量で、かつ高画質の反射型カラーLCDのニーズが高まっている。本報告では、更なる低消費電力化を目指し、単偏光板式の反射型LCDの中で構成が最も簡単である位相差板1枚補償・単偏光板式反射型TN-LCDと、その構成に位相差板を1枚付加した位相差板2枚補償・単偏光板式反射型TN-LCDの表示特性とTFT駆動のオン電圧の関係をシミュレーションで調べた。その結果、位相差板1枚補償型では、オン電圧の低下とともに表示特性が劣化するが、位相差板2枚補償型ではオン電圧を約2.0Vまで低下させても単偏光板式の極限に近い無彩色の表示特性が得られること、したがって高画質を維持しつつ、従来のオン電圧5VのTFT駆動に比べ約1/6~1/7に省電力化できることがわかった。
抄録(英) A reflective color LCD of high quality, low power consumption, light weight and thin structure is an important device for highly portable information terminals. In this report, we numerically analyzed the relationship between the electro-optical properties and the driving voltage in a single-polarizer reflective TN-LCD with retardation film of 1 sheet or 2 sheets. We found that the LCD with retardation film of 2 sheets exhibits an achromatic image of high luminous reflectance and high contrast ratio, even if the on-voltage of TFT-LCD is reduced to 2V. The power consumption can thus be decreased to 1/6 to 1/7 that of a current reflective TFT-LCD of 5V in the on-state, while maintaining high-quality image.
キーワード(和) 液晶 / ディスプレイ / 反射型ディスプレイ / TN-LCD / 低消費電力
キーワード(英) liquid crystal / display / reflective display / TN-LCD / low power consumption
資料番号 2001-EID-111
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2002/1/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 単偏光板式反射型TN-LCDの高性能化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Improved Performance of a Single-Polarizer Reflective TN-LCD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 液晶 / liquid crystal
キーワード(2)(和/英) ディスプレイ / display
キーワード(3)(和/英) 反射型ディスプレイ / reflective display
キーワード(4)(和/英) TN-LCD / TN-LCD
キーワード(5)(和/英) 低消費電力 / low power consumption
第 1 著者 氏名(和/英) 福田 一郎 / I. Fukuda
第 1 著者 所属(和/英) 金沢工業大学デバイスシステムR&Dセンター
O.E. Device System R & D Center, Kanazawa Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 柚木 信治 / S. Yunoki
第 2 著者 所属(和/英) 金沢工業大学デバイスシステムR&Dセンター
O.E. Device System R & D Center, Kanazawa Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 井添 崇 / T. Izoe
第 3 著者 所属(和/英) 金沢工業大学デバイスシステムR&Dセンター
O.E. Device System R & D Center, Kanazawa Institute of Technology
発表年月日 2002/1/18
資料番号 2001-EID-111
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 600
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日