| 講演名 | 2002/1/17 エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成 清水 克美, 野中 秀紀, 青木 徹, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | ジエチルジンク(DEZn)とO_2ガスを原料とするプラズマCVDによりr面サファイア基板にa面ZnO薄膜を成長した。XRD測定を行ったところ、ZnO(110)のピークの半値幅は約1000秒であった。このZnO薄膜および熱酸化によってSi基板上に作製したZnO薄膜に、Sbをドーパント原料としたエキシマレーザードーピングを行い、p形ZnO層の形成を試みた。さらに、Sbドーピング層をp側とし、ドーピングを行っていない領域をn側としたpn接合を形成し、電流電圧測定を行った。その結果、熱酸化によって作製したZnO薄膜を用いた場合p形ZnO層が得られ、pn接合を形成したところ整流性が得られた。 |
| 抄録(英) | The a-axis oriented ZnO single crystal films on c-plane sapphire substrate were grown by plasma enhanced metaloganic chemical vapor deposition (MOCVD) using diethylzinc(DEZn) as a source of Zn and oxygen gas. The obtained FWHM of XRD peak for grown ZnO(110) was about 1000s. The Sb doping for p-type ZnO was performed for MOCVD and thermal oxidation grown ZnO film by excimer laser doping. The pn junction was fabricated between the Sb-doped ZnO layer and undoped (naturally n-type) ZnO film. The p-type ZnO layer was obtained by Sb-doping and diode like characteristic was obtained in the pn junction in the case of using ZnO grown by thermal oxidation method. |
| キーワード(和) | ZnO / エキシマレーザー / MOCVD / Sbドーピング |
| キーワード(英) | ZnO / Excimer laser / MOCVD / Sb doping |
| 資料番号 | EID2001-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2002/1/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of ZnO pn Junction by Excimer Laser Doping |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマレーザー / Excimer laser |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | Sbドーピング / Sb doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 克美 / Yoshimi SHIMIZU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Unviersity |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野中 秀紀 / Hidenori NONAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Unviersity |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Unviersity |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori HATANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Unviersity |
| 発表年月日 | 2002/1/17 |
| 資料番号 | EID2001-99 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 599 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |