| 講演名 | 2002/1/17 各種成膜法により作製したY_2O_3 : Mn蛍光体薄膜のPL及びEL特性 白井 徹也, 小林 洋平, 山崎 正志, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | ゾル-ゲル法、PLD法及び高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したY_2O_3 : Mn薄膜EL素子のPLおよびEL特性について検討した。いずれの成膜法においても形成された膜の結晶構造が立方晶の場合は、PL及びELが得られなかった。一方、形成された膜の結晶構造が単斜晶を含む場合は、PL及びELにおいて高輝度黄色発光を実現できた。Y_2O_3 : Mn薄膜EL素子では、その発光特性が母体の結晶構造に強く依存し、立方晶系の成長を抑えて単斜晶系に主として結晶化させた膜を作製することによって、高輝度発光を実現できることが分かった。 |
| 抄録(英) | The photoluminescent (PL) and electroluminescent (EL) characteristics from Y_2O_3 : Mn thin films prepared by sol-gel process, PLD or r.f. magnetron sputtering were found to be strongly dependent on the deposition method as well as the preparation conditions of the thin films. The difference of luminescent characteristics were mainly attributed to the crystal structure of the resulting Y_2O_3 : Mn thin films. When the crystal structure of Y_2O_3 : Mn thin films was monoclinic, both the PL and EL emissions were observed. But the PL and EL emissions was not observed in Y_2O_3 : Mn thin films of which the crystal structure was cubic. High-luminance PL and EL emissions were realized by controlling the crystal structure of the Y_2O_3 : Mn thin film. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / 薄膜EL素子 / 蛍光体 / 酸化物蛍光体 / 酸化イットリウム |
| キーワード(英) | electroluminescence / TFEL device / phosphor / oxide phosphor / Y_2O_3 |
| 資料番号 | EID2001-95 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2002/1/17(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 各種成膜法により作製したY_2O_3 : Mn蛍光体薄膜のPL及びEL特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | PL AND EL FROM Y_2O_3 : Mn THIN FILMS PREPARED BY VARIOUS DEPOSITION METHODS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜EL素子 / TFEL device |
| キーワード(3)（和/英） | 蛍光体 / phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物蛍光体 / oxide phosphor |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化イットリウム / Y_2O_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白井 徹也 / Tetsuya Shirai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 洋平 / Youhei Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山崎 正志 / Masashi Yamazaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro Miyata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu Minami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/1/17 |
| 資料番号 | EID2001-95 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 599 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |