| 講演名 | 2000/10/26 マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化物 : 薄膜EL素子 戸田 行信, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | 高温でのアニール処理を行うことなく作製した酸化物蛍光体薄膜を発光層に用いる高輝度薄膜EL素子の作製について報告する。基板兼絶縁層としてBaTiO_3セラミックシートを用い、Rapid Thermal Annealing(RTA)処理高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したZnGa_2O_4:Mn及びGa_2O_3:Mn薄膜を発光層に用いる片絶縁構造薄膜EL素子を作製した。発光層の成膜条件を最適化することにより、成膜後に高温でのアニール処理を施すことなく作製したZnGa_2O_4:Mn薄膜EL素子及びGa_2O_3:Mn薄膜EL素子において、1kHz正弦波交流電圧駆動時に200cd/m^2及び24.8cd/m^2の緑色発光をそれぞれ実現した。 |
| 抄録(英) | A procedure for producing high luminamce thin-film electroluminescent (TFEL) devices with an oxide phosphor thin-film emitting layer prepared without high temperature postannealing is described. The TFEL devices were fabricated by depositing an oxide phosphor thin film onto a thick BaTiO_3 ceramic sheet insulator using magnetron sputtering with rapid thermal annealing (RTA). High luminance green emissions were obtained in TFEL devices using either a Ga_2O_3:Mn or a ZnGa_2O_4:Mn thin-film emitting layer prepared under optimized deposition conditions. A ZnGa_2O_4:Mn TFEL device driven at 1kHz exhibited a luminance of 200 cd/m^2. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / 薄膜EL素子 / 蛍光体 / 酸化物蛍光体 / 酸化ガリウム |
| キーワード(英) | electroluminescence / TFEL device / phosphor / oxide phosphor / Ga_2O_3, ZnGa_2O_4, ceramic |
| 資料番号 | EID2000-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/10/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化物 : 薄膜EL素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxide Phosphor TFEL Devices Fabricated by Magnetron Sputtering with RTA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜EL素子 / TFEL device |
| キーワード(3)（和/英） | 蛍光体 / phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物蛍光体 / oxide phosphor |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化ガリウム / Ga_2O_3, ZnGa_2O_4, ceramic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 戸田 行信 / Hidenobu Toda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro Miyata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu Minami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/10/26 |
| 資料番号 | EID2000-200 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |