| 講演名 | 2000/10/26 Mn添加(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn多元系酸化物薄膜EL素子 白井 徹也, 中谷 敏邦, 鈴木 信吾, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | ゾル-ゲル法および高周波マグネトロンスパッタリング法により作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子のEL特性について述べる。真空プロセスが不要な簡易な成膜方法であるゾル-ゲル法によりAl_2O_3添加量30mol.%で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においては、1kHz正弦波交流電圧駆動時に最高発光輝度1557cd/m^2、また高周波マグネトロンスパッタリング法においてAl_2O_3添加量20mol.%で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においては、1660cd/m^2を実現できた。また、いずれの成膜方法で作製した(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn薄膜EL素子においても1kHz正弦波交流電圧駆動時に0.41m/W以上の発光効率を実現できた。 |
| 抄録(英) | The electroluminescent characteristics of TFEL devices using (Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn thin films prepared process or r.f. magnetron sputtering are described. Green emitting TFEL devices using (Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn thin films prepared with an Al_2O_3 content of 0 to 30 mol.% exhibited luminances above 1000 dc/m^2 when driven by a sinusoidal wave voltage at 1kHz. Luminances of 1557 and 1660cd/m^2 were obtained in TFEL devices using (Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn thin films prepared with an Al_2O_3 content of 30 mol.% by the sol-gel process and an Al_2O_3 content of 20 mol.% by magnetro sputtering, respectibely. A maximaum luminous efficiency above 0.4 lm/W was obtained in these TFEL devices when driven at 1kHz. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / 薄膜EL素子 / 蛍光体 / 酸化物蛍光体 / 酸化ガリウム |
| キーワード(英) | electroluminescenece / TFEL device / phosphor / oxide phosphor Ga_2O_3 |
| 資料番号 | EID2000-199 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/10/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Mn添加(Al_2O_3-Ga_2O_3):Mn多元系酸化物薄膜EL素子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mn-Activated(Al_2O_3-Ga_2O_3) Multicomponent Oxide Phosphor TFEL Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescenece |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜EL素子 / TFEL device |
| キーワード(3)（和/英） | 蛍光体 / phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物蛍光体 / oxide phosphor Ga_2O_3 |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化ガリウム |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白井 徹也 / Tetsuya Shirai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中谷 敏邦 / Toshikuni Nakatani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信吾 / Shingo Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro Miyata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu Minami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | O.E.デバイスシステムR&Dセンター:金沢工業大学 O.E.Device Sysytem R&Dcenter:Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/10/26 |
| 資料番号 | EID2000-199 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |