| 講演名 | 2000/10/13 Plasma Oxidation of Silicon and its Application to Poly-Si TFT Fabrication Process , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, we present the results of plasma oxidation of silicon carried out by applying RF power to a gas mixture of helium and oxygen at a temperature of 400 degree C or below. Stoichiometric SiO_2 films with properties close to thermally grown SiO_2 films were obtained using this process. By incorporating less than 100 angstroms of the above film between the polysilicon layer and the gate insulator layer(deposited SiO_2)of polysihcon TFTs, we were able to improve the values of sub-threshold slope and mobility as well as uniformity of device characteristics of TFTs made on substrate as large as 300mm X 300mm. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Plasma oxidation / polysilicon TFTs / sub threshold slope / uniformity / helium-oxygen plasma. |
| 資料番号 | EID2000-139 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasma Oxidation of Silicon and its Application to Poly-Si TFT Fabrication Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Plasma oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / R. Kakkad |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Base Technology Research Center |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | EID2000-139 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 356 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |