| 講演名 | 2000/10/13 Low temperature poly-Si TFT with metal induced crystallization of amorphous silicon at 440℃ , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Amorphous Silicon(a-Si)films were deposited by PECVD and then crystallized by metal induced crystallization(MIC)at various temperatures. The crystallization temperature was reduced to as low as 440℃. The Ni-MIC pSi thin films were characterized by XRD, SEM and XPS. The depth profiles of structure and chemical components of the films were analyzed, and the crystallization mechanism was discussed. The poly-Si TFT was fabricated using Ni-MIC. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Metal Induced crystallization / (MIC) / p-Si / annealing |
| 資料番号 | EID2000-138 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature poly-Si TFT with metal induced crystallization of amorphous silicon at 440℃ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Metal Induced crystallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Chuanzhen Liu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | North LCD R&D Center, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics Chinese Academy of Sciences |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | EID2000-138 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 356 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |