講演名 2000/10/13
Investigation on the Simulating Field and Track of Electrons in FFEA
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抄録(和)
抄録(英) A distribution graph of electronic potential and track near cathode microtip in FFEA was obtained by finite difference simulating three dimensions for texture of double gate FFEA. It is clearly a result that electrons focusing effect becomes stronger as the focus electrode bias decreases toward the tip potential. If negative focusing electrode bias, we may affirm that the electronic lens repels almost all electrons and finally return to the grid electrode. The potential of gate electrode almost dose not affect the trajectories of electrons from microtip by the quantum tunneling metal cathode, which can only increase electronic amount as voltage applied gate become more higher. The electrons that are of bigger shooting angle will be embarrassed as diameter of focus electrode reduce.
キーワード(和)
キーワード(英) Finite difference / Focus FEA / Trajectories of electrons / Emitter microtip / Electron beams / Simulating calculation
資料番号 EID2000-124
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 2000/10/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Investigation on the Simulating Field and Track of Electrons in FFEA
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Finite difference
第 1 著者 氏名(和/英) / Xiaosheng Qu
第 1 著者 所属(和/英)
Department of electronic engineering, Thsinghua University
発表年月日 2000/10/13
資料番号 EID2000-124
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 356
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日