| 講演名 | 2000/10/13 Properties of in-plane-gate transistors for AMLCD , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We present a new kind of thin film transistors(TFT) for active matrix liquid crystal displays(AMLCD), the in- plane-gate(IPG)transistors. Direct current properties of such TFTs are investigated and the model describing their behaviour is proposed. The advantages of IPG transistors are outlined. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EID2000-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of in-plane-gate transistors for AMLCD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / A. A. Muravski |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Institute of Applied Physics Problems |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | EID2000-118 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 356 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |