| 講演名 | 2000/10/13 A New Poly-Si TFT Employing Air-Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have proposed and fabricated two new poly-Si TFTs in order to reduce vertical and lateral electric field near the drain respectively. Vertical electric field is reduced by air-cavity at the edge of gate oxide and lateral electric field is reduced by selectively doped region in the channel. Due to the reduced Vertical and lateral electric field near the drain, the leakage current of both new poly-Si TFTs is considerably suppressed and device stability is also improved. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si TFT / leakage current / air-cavity / vertical electric field / selectively doped regin / lateral / electric field |
| 資料番号 | EID2000-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A New Poly-Si TFT Employing Air-Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si TFT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Min-Cheol Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Electrical Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | EID2000-117 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 356 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |