| 講演名 | 2000/10/13 Simulation Analysis of Negative Resistance Effect in OLED , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A negative resistance phenomenon(NRP)in some polymer light emitting diodes(PLED)was observed and analyzed. This NRP appears in devices after long term storage without bias and disappear after consecutively scan the I-V curves over certain bias level. An internal reverse junction was proposed to interpret this NRP. In addition to the NRP, Hysteresis of I-V data over consecutive runs was also observed, similar to the effect frequently observed in non-crystalline inorganic semiconductors. Such field-drifting characteristics can be explained by carrier trapping mechanism. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Negative resistance phenomenon(NRP) / Field-drift / contact property / F-N model / Trapped carriers / limited / Polymer light emitting diode(PLED) |
| 資料番号 | EID2000-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation Analysis of Negative Resistance Effect in OLED |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Negative resistance phenomenon(NRP) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / XIONG Shao-zhen |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Institute of Photo-electronics, Nankai University, Key Laboratory of Opto-electronics Information Technical Science, EMC. China Laboratory of Semiconductor Materials Science |
| 発表年月日 | 2000/10/13 |
| 資料番号 | EID2000-109 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 356 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |