講演名 | 2000/6/30 EID2000-28 PLD法で作製したZnO:Zn蛍光体薄膜の酸素欠陥量の制御 筧 憲之介, 國本 崇, Daud Alias, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志, |
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抄録(和) | PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いZnO:Zn蛍光体薄膜を作製し、発光分光法によりプルームの診断を行った。作製した薄膜はすべてZnO六方晶構造のc軸に配向しており、基板温度を変化させた時のPL発光強度から、基板温度は250℃付近が良いことがわかった。アニールや反応性ガスによる酸素欠陥濃度の制御は、現時点においては難しくかつ、著しい効果がないことがわかった。プルームの発光分光の結果から、発光強度の強いZnO:Zn蛍光体薄膜を得るためには、プルーム中のOとZnとの割合をモニタすることで、レーザフルーエンスと基板間距離をなどの成膜パラメータをコントロールすることが必要であると考えられる。 |
抄録(英) | ZnO:Zn phosphor thin films have been prepared by PLD(Pulsed Laser Deposition) technique. Optical emission spectroscopy of the laser produced plume was used to characterize the deposition process. All deposited films are oriented to the c-axis of wurtzite ZnO crystal. The film, which shows efficient green PL emission, was prepared by controlling the substrate temperature around 250℃. At the present, it is difficult to control the oxygen vacancy concentration using post-annealing of the deposited films and also preparing the films with assisted reactive gasses. The emission ratio of O(777nm)/Zn(635nm)is related to the green PL intensity of the deposited films. By the monitoring these emission lines, deposition parameters such as laser fluence and target-substrate distance will be optimized to obtain an efficient ZnO:Zn phosphor thin film. |
キーワード(和) | ZnO:Zn蛍光体薄膜 / PLD法 / プルーム / 酸素欠陥 |
キーワード(英) | ZnO:Zn phosphor thin film / PLD / Laser produced plume / Oxygen vacancy |
資料番号 | EID2000-28 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EID |
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開催期間 | 2000/6/30(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | EID2000-28 PLD法で作製したZnO:Zn蛍光体薄膜の酸素欠陥量の制御 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Control of oxygen vacancy concentration on ZnO:Zn phosphor thin films prepared by PLD technique |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ZnO:Zn蛍光体薄膜 / ZnO:Zn phosphor thin film |
キーワード(2)(和/英) | PLD法 / PLD |
キーワード(3)(和/英) | プルーム / Laser produced plume |
キーワード(4)(和/英) | 酸素欠陥 / Oxygen vacancy |
第 1 著者 氏名(和/英) | 筧 憲之介 / Kennosuke Kakehi |
第 1 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tottori University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 國本 崇 / Takashi Kunimoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tottori University |
第 3 著者 氏名(和/英) | Daud Alias / Alias Daud |
第 3 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tottori University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 大観 光徳 / Koutoku Ohmi |
第 4 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tottori University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 田中 省作 / Shosaku Tanaka |
第 5 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tottori University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 小林 洋志 / Hiroshi Kobayashi |
第 6 著者 所属(和/英) | 鳥取大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tottori University |
発表年月日 | 2000/6/30 |
資料番号 | EID2000-28 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 168 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |