| 講演名 | 2000/6/16 EID2000-20 SOI-MOS素子による光電流増幅 瓜生 優子, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 新たな受光素子として、SOI MOSFETとフォトダイオードからなる複合デバイスの提案を行い、その基本的動作を実験検証した。SOI MOSFETのフローティングボディにフォトダイオードを接続し、ダイオードでの光電流をSOI MOSFETのラテラルバイポーラ効果を利用して増幅し、ドレイン出力電流とすることを狙ったデバイスである。本報告では、部分空乏型pチャネルSOI MOSFETとSIMOXウェハの基板Si中に形成したn^+pフォトダイオードの複合デバイスを試作し、分光感度特性と光強度依存性、増幅率のゲート長依存性について示す。その結果、増幅率はMOSFETのゲート長を短くするとともに増加し、試作したデバイスでMOSFETのゲート長0.8μmの場合、約70倍の増幅を確認した。 |
| 抄録(英) | A new photodetection device composed of an SOI MOSFET and a photodiode is proposed and the fundamental operation of the device is experimentally studied. The photodiode is connected to the floating body of the SOI MOSFET. This device was targeted at amplification of diode photocurrent by using the lateral bipolar action of the SOI MOSFEAT. We have investigated devices composed of a partially depleted p-channel SOI MOSFET and a n^+p photodiode which was formed in the substrate Si of a SIMOX wafer. Photo-response in terms of wavelength and intensity, and current gain of the composite device are investigated. It is demonstrated that the current amplification factor increases with decreasing the gate length of the SOI MOSFET and the drain current can be about 70 times as much as the diode photocurrent when the gate length is 0.8μm. |
| キーワード(和) | 光検出素子 / 複合デバイス / SOI / MOSFET / ラテラルバイポーラ効果 / 基板浮遊効果 |
| キーワード(英) | photodetection device / composite device / SOI / MOSFET / lateral bipolar transistor / floating body effect |
| 資料番号 | EID2000-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/6/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | EID2000-20 SOI-MOS素子による光電流増幅 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photocurrent Amplification Using Lateral Bipolar Effect of SOI MOSFET Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光検出素子 / photodetection device |
| キーワード(2)（和/英） | 複合デバイス / composite device |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | ラテラルバイポーラ効果 / lateral bipolar transistor |
| キーワード(6)（和/英） | 基板浮遊効果 / floating body effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 瓜生 優子 / Yuko Uryu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/6/16 |
| 資料番号 | EID2000-20 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 133 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |