| 講演名 | 2000/6/16 EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究 中村 篤志, 野田 大二, Niraula Madan, 青木 徹, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | II-VI族化合物半導体CdTeは高エネルギー放射線に対して室温動作可能で高エネルギー分解能をもつ材料であることから、現在盛んに研究されている。本研究では集積形放射線画像検出器として用いるべく、パターンドーピングをするためのレーザードーピング条件を明らかにした。また、単結晶CdTe上にp形CdTe、n形CdTeをエキシマレーザーによってドーピングする事に成功した。p形ドーパントとしてNa_2Te、Sbを用い、n形ドーパントとしてInを用いた。このときのホール濃度は+1.39e+19/cm^3、電子濃度は-8.95e+19/cm^3であった。 |
| 抄録(英) | II-VI compound semiconductor CdTe is an attractive semiconductor material for applications to solid-state high-energy x-ray and γ-ray imaging systems. We have studied the laser doping technique for fabrication to reticulated detectors. This technique is suitable for the spatially patterned doping to be applied for the fabrication of integrated two-dimensional imaging device. Na_2Te, Sb as p-type dopants and In as n-type dopant for the single crystal CbTe were examined by Eximer laser doping technique. The Hall concentration was +1.39e+19/cm^3 and Electron concentration was -8.95e+18/cm^3. |
| キーワード(和) | エキシマレーザー / パターンドーピング / Na_2Te / Sb / In |
| キーワード(英) | Excimer laser / patterned doping / Na_2Te / Sb / In |
| 資料番号 | EID2000-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/6/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excimer Laser doping for compound semiconductor and Study of the pixel technique for image detector |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エキシマレーザー / Excimer laser |
| キーワード(2)（和/英） | パターンドーピング / patterned doping |
| キーワード(3)（和/英） | Na_2Te / Na_2Te |
| キーワード(4)（和/英） | Sb / Sb |
| キーワード(5)（和/英） | In / In |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / A. Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野田 大二 / D. Noda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Niraula Madan / M. Niraula |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y. Hatanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2000/6/16 |
| 資料番号 | EID2000-18 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 133 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |