| 講演名 | 2000/6/15 EID2000-7 反応性スパッタリングによるMgO薄膜作成プロセスの実験的・理論的検討 松田 良信, 大友 晃治, 藤山 寛, |
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| 抄録(和) | アルゴン・酸素雰囲気中でのMgターゲットの反応性スパッタリングによるMgO膜成膜は、成膜速度が小さい欠点があるものの、プロセスコスト低減と膜質向上の観点から魅力的である。本研究では、この反応性スパッタリングプロセスに関し、実験的理論的検討を行なった。まず、導入酸素流量に応じて観測される、放電とそれに付随したスパッタリングおよび成膜における顕著なモード遷移の実験結果を示す。次に、導入酸素ガスのターゲットおよび基板(容器壁も含む)での吸着・脱離とターゲットの二次電子放出係数変化を考慮したガス粒子平衡に基づく反応性スパッタモデルを示し、MgOの反応性スパッタリングの統一的・定量的なモデル化について議論する。 |
| 抄録(英) | Preparation of MgO thin films using reactive magnetron sputtering of Mg target in argon/ oxygen mixture is fascinating with respect to decreased process cost and improved film quality, irrespective of its small deposition rate. Fabrication and control of MgO films by this process was studied experimentally and theoretically. First, the experimental results of mode transition observed in sputter-deposition property associated with the discharge property are reported. Next, a reactive sputtering model considering the particle balance of oxygen as well as the change in secondary electron emission coefficient on the target is shown. Based on them, quantitative and systematic modeling of reactive sputtering of Mg target is discussed. |
| キーワード(和) | MgO / 反応性スパッタリング / モード遷移 / モデリング / 二次電子放出係数 |
| キーワード(英) | MgO / reactive sputtering / mode transition / modeling / secondary electron emission |
| 資料番号 | EID2000-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/6/15(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | EID2000-7 反応性スパッタリングによるMgO薄膜作成プロセスの実験的・理論的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Expermental and Theoretical Studies of Reactive Sputtering Prosess for MgO Film Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MgO / MgO |
| キーワード(2)（和/英） | 反応性スパッタリング / reactive sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | モード遷移 / mode transition |
| キーワード(4)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(5)（和/英） | 二次電子放出係数 / secondary electron emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松田 良信 / Yoshinobu Matsuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長崎大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Nagasaki University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大友 晃治 / Koji Ohtomo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長崎大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Nagasaki University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤山 寛 / Hiroshi Fujiyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長崎大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Nagasaki University |
| 発表年月日 | 2000/6/15 |
| 資料番号 | EID2000-7 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 132 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |