| 講演名 | 2000/3/3 有機EL素子の連続駆動時における駆動電圧の変化 藤井 祐行, 中井 正也, 浜田 祐次, 辻岡 強, 高橋 寿一, |
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| 抄録(和) | 有機EL素子の劣化と密接に関係すると考えられる連続発光時の駆動電圧の上昇について調べた。電荷輸送材料を単独で用いて単層素子を作製した場合、代表的な電子輸送・発光材料であるAlq錯体を用いた素子の電圧上昇が最も大きかったのに対し、正孔輸送材料を用いた素子では電圧上昇は小さかった。Alq層の膜厚を変化させた場合、Alq層にかかる電界強度が大きいほど、駆動電圧の上昇が大きかった。また、アノードにMg系電極を用いて正孔注入を抑制した素子では電圧上昇も抑制された。これらから、駆動電圧の上昇は電子輸送層に生じる劣化の寄与が大きく、劣化の速度は電界強度と、Alq層に注入される正孔の量とに依存することが示唆された。 |
| 抄録(英) | In order to improve the running durability of organic light emitting devices(OLEDs), various single layer devices were examined for gradual increases n driving voltage during continuous d.c.operation under a constant current. The rate of voltage increase for aluminum tris(quinoline-8-olate)(Alq), which is the most popular material for electron transport layer(ETL), was largest, however, those for many hole transporting materials were small. The rates of voltage increase depended on the electric field strength across the organic layer. Therefore dominant contribution to voltage increases were attributed to changes in the ETL, which may depend on electric field strength and amount of injected holes into ETL. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / 駆動電圧 / 電界強度 / 正孔注入 / 錯体 / 電子輸送材料 |
| キーワード(英) | electroluminescence / driving voltage / electric field strength / hole injection |
| 資料番号 | EID99-165, OME99-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2000/3/3(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機EL素子の連続駆動時における駆動電圧の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Increases in Driving Voltage of Organic Light Emitting Devices During Continuous D.C.Operation under a Constant Current |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | 駆動電圧 / driving voltage |
| キーワード(3)（和/英） | 電界強度 / electric field strength |
| キーワード(4)（和/英） | 正孔注入 / hole injection |
| キーワード(5)（和/英） | 錯体 |
| キーワード(6)（和/英） | 電子輸送材料 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤井 祐行 / H. Fujii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)ニューマテリアル研究所 New Materials Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中井 正也 / M. Nakai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)ニューマテリアル研究所 New Materials Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜田 祐次 / Y. Hamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)ニューマテリアル研究所 New Materials Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 辻岡 強 / T. Tsujioka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)ニューマテリアル研究所 New Materials Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 寿一 / H. Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)ニューマテリアル研究所 New Materials Research Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2000/3/3 |
| 資料番号 | EID99-165, OME99-124 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 663 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |