| 講演名 | 1999/7/9 マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化 宮田 俊弘, 中谷 敏邦, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | 高周波マグネトロンスパッタリング法によって作製したGa_2O_3:Mn酸化物蛍光体薄膜を発光層として用いるBaTiO_3セラミックス絶縁形薄膜EL素子を作製し、成膜時の基板温度、アニール処理条件および発光中心としてのMn添加量等の素子作製条件の最適化について詳細に検討した。基板温度が300℃以下で作製したGa_2O_3薄膜はアモルファスであったが、350℃以上で作製した膜は未処理膜でも結晶化し、β-Ga_2O_3からのX線回折ピークが観測された。基板温度365℃で作製したGa_2O_3薄膜(未処理膜)を用いる薄膜EL素子において、1kHz正弦波交流電圧駆動時に7.54cd/m^2の緑色発光を実現できた。また、基板温度390℃、Mn添加量0.5at%で成膜後、1020℃でアニール処理したGa_2O_3:Mn薄膜EL素子において、1kHzおよび60Hz駆動時において627および167cd/m^2の高輝度緑色発光を実現できた。 |
| 抄録(英) | High-luminance green-emitting TFEL devices have been fabricated using a Ga_2O_3:Mn phosphor thin-film emitting layer and a thick BaTiO_3 ceramic sheet insulating layer. The EL characteristics of TFEL devices with a Ga_2O_3: Mn phosphor thin-film emitting layer prepared by rf magnetron sputtering were strongly dependent on the preparing conditions of Ga_2O_3:Mn thin-film. A lumirtance of 7.54cd/m^2 was obtained in a green-emitting TFEL device with an as-deposited Ga_2O_3:Mn phosphor thin-film emitting layer prepared at substrate temperature of 365℃. High luminaces of 627 and 167 cd/m^2 were obtained in a device using Ga_2O_3: Mn phosphor thin-film postannealed at 1020℃ and prepared at substrate temperature of 390℃, when driven at 1kHz and 60Hz, respectively. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / Ga_20_3:Mn / 高周波マグネトロンスパッタ法 / 酸化物蛍光体 / 薄膜EL素子 |
| キーワード(英) | electroluminescence / Ga_2O_3:Mn / rf magnetron sputtering / oxide phosphor / TFEL device |
| 資料番号 | EID99-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/7/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マグネトロンスパッタ法で作製するGa_2O_3:Mn薄膜EL素子の作製条件の最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimaization of preparing conditions of high-luminance TFEL devices using Ga_20_3:Mn thin films prepared by magnetron sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | Ga_20_3:Mn / Ga_2O_3:Mn |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波マグネトロンスパッタ法 / rf magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物蛍光体 / oxide phosphor |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜EL素子 / TFEL device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro MIYATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中谷 敏邦 / Toshikuni NAKATANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu MINAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/7/9 |
| 資料番号 | EID99-44 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 171 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |