| 講演名 | 1999/3/19 Effect of Parasitic Resistance on Mobility in Laser Crystallized LT poly-Si TFTs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Effect of parasitic resistance (Rp) on the mobility in laser-crystallized low-temperature (LT) poly-Si thin film transistors (TFTs) of various channel lengths was investigated. The minimum off current at Vd=10V in these TFTs is scaleable and is about 0. 15 pA/μm. Significant reduction of mobility was observed in short channel devices due to porasitic resistance. Based on our analysis of the Rp requirement for high-performance short-channel LT poly-Si TFTs, to avoid significant degradation in the mobility for the mobility larger than 300 cm^2/Vs, it 's necessary to keep Rp below 200 ohm. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | LT poly-Si TFT / parasitic resistance / excimer laser / mobilty reduction / contact resistance / channel length |
| 資料番号 | EID98-256 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Parasitic Resistance on Mobility in Laser Crystallized LT poly-Si TFTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / LT poly-Si TFT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Shih-Chang Chang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Electronics Research and Service Organization Industrial Technology Research Institute |
| 発表年月日 | 1999/3/19 |
| 資料番号 | EID98-256 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 666 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |