講演名 | 1999/3/19 Experimental Characterization of P-channel Polysilicon Conductivity Modulated Thin-Film Transistors , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | A p-channel poly-Si CMTFT (Conductivity Modulated Thin-Film Transistor) is demonstrated and experimentally characterized. The transistor uses the concept of conductivity modulation in the offset region to obtain a significant reduction in on-state resistance. This structure can provide 1.5 to 2 orders of magnitude higher on-state current than that of the conventional offset drain TFT at drain voltage ranging from -15V to -5V while still maintaining low leakage current and simplicity in device operation. The p-channel CMTFT can be combined with the n-channel CMTFT to form CMOS high voltage drivers, which is very suitable for use in fully integrated large area electronic applications. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | polysilicon / conductivity modulated thin-film transistor / high voltage driver |
資料番号 | EID98-255 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EID |
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開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
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タイトル(英) | Experimental Characterization of P-channel Polysilicon Conductivity Modulated Thin-Film Transistors |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / polysilicon |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Chunxiang Zhu |
第 1 著者 所属(和/英) | Center for Display Research Department of Electrical and Electronic Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology |
発表年月日 | 1999/3/19 |
資料番号 | EID98-255 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 666 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |