講演名 1999/3/19
Experimental Characterization of P-channel Polysilicon Conductivity Modulated Thin-Film Transistors
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抄録(和)
抄録(英) A p-channel poly-Si CMTFT (Conductivity Modulated Thin-Film Transistor) is demonstrated and experimentally characterized. The transistor uses the concept of conductivity modulation in the offset region to obtain a significant reduction in on-state resistance. This structure can provide 1.5 to 2 orders of magnitude higher on-state current than that of the conventional offset drain TFT at drain voltage ranging from -15V to -5V while still maintaining low leakage current and simplicity in device operation. The p-channel CMTFT can be combined with the n-channel CMTFT to form CMOS high voltage drivers, which is very suitable for use in fully integrated large area electronic applications.
キーワード(和)
キーワード(英) polysilicon / conductivity modulated thin-film transistor / high voltage driver
資料番号 EID98-255
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1999/3/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Experimental Characterization of P-channel Polysilicon Conductivity Modulated Thin-Film Transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / polysilicon
第 1 著者 氏名(和/英) / Chunxiang Zhu
第 1 著者 所属(和/英)
Center for Display Research Department of Electrical and Electronic Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology
発表年月日 1999/3/19
資料番号 EID98-255
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 666
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日