| 講演名 | 1999/3/19 金属誘導横向結晶薄膜晶体管的表観閾値電圧的降低 王 文, Bhat Gururaj A., 郭 海城, |
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| 抄録(和) | 在傳統的自対准金属誘導横向結晶("MILC"=metal induced lateral crystallization)薄膜晶体管("TFT"=thin film transistor)結構中、覆蓋于源漏區之上的誘導金属一方面将溝道區由兩側誘導横向結晶(MILC)、〓一方面誘導源漏區本身金属誘導晶化("MIC"=metal induced crystallization)、從而在MILC溝道區与MIC源漏區之間形成明確的晶界。本文表明這些溝道區邊縁的MILC/MIC晶界的存在将影響TFT的表観閾値電壓(apparent V_T); 将這些MILC/MIC晶界從源漏的結區消除、或者対其進行〓气鈍化処理、都可以有効地降低V_T。 |
| 抄録(英) | In conventional metal-induced-laterally crystallized (MILC) thin film transistors (TFTs), the source and drain regions are crystallized by metal-induced crystallization (MIC) self-aligned to the edges of the gate electrodes. A distinct grain boundary exists at the border between the MILC and the MIC regions. It will be shown that the apparent threshold voltage (V_t) of the MILC TFTS is affected by the presence of these MILC/MIC grain boundaries (MMGBs) at the edges of the transistor channels. Furthermore, V_t can be reduced either by eliminating the MMGBs from both the source and drain junctions or by hydrogen passivation of the traps in the MMGBs. |
| キーワード(和) | 導横向結晶(MILC) / 薄膜晶体管 / MILC/MIC晶界 |
| キーワード(英) | Metal induced lateral crystallization / thin film transistor / MILC/MIC grain boundaries |
| 資料番号 | EID98-254 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 金属誘導横向結晶薄膜晶体管的表観閾値電圧的降低 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of Threshold Voltage in Metal-Induced-Laterally-Crystallized Thin Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導横向結晶(MILC) / Metal induced lateral crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜晶体管 / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | MILC/MIC晶界 / MILC/MIC grain boundaries |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 王 文 / Man Wong |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 香港科技大學電机及電子工程系,顯示器中心 Center for Display Research & Department of Electrical and Electronic Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Bhat Gururaj A. / Gururaj A. Bhat |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 香港科技大學電机及電子工程系,顯示器中心 Center for Display Research & Department of Electrical and Electronic Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 郭 海城 / Hoi S. Kwok |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 香港科技大學電机及電子工程系,顯示器中心 Center for Display Research & Department of Electrical and Electronic Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology |
| 発表年月日 | 1999/3/19 |
| 資料番号 | EID98-254 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 666 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |