| 講演名 | 1999/3/19 A BCE-type α-Si TFT with an Island Metal Masking Structure , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A new back channel etched hydrogenated thin film transistor (TFT) device with an island metal masking structure has been proposed and fabricated. The TFT structure contained a continue layer deposition process of SiNx/a-Si/n+a-Si/Metal, and finally resulted in an additional metal layer between source/drain metals and island. The channel metal was etched in the S/D metal mask patterning simultaneously. Results showed the newly designed TFT device exhibiting some characteristics: (i) good S/D metal/n+a-Si contact; (ii) prevention of plasma damage during processing especially for oxygen plasma ashing and (iii) without additional mask. These advantages will be helpful for a wider range of process window in large area mass production a-Si TFT fabrications. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | thin film tranasistor (TFT) / island metal masking / plasma damage |
| 資料番号 | EID98-253 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A BCE-type α-Si TFT with an Island Metal Masking Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / thin film tranasistor (TFT) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / J. H. Chen |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Electronics Research and Service Organization, Industrial Technology Research Institute |
| 発表年月日 | 1999/3/19 |
| 資料番号 | EID98-253 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 666 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |