| 講演名 | 1999/3/19 Amorphous Silicon Thin Film Transistors Formed by Plasma Enhanced Deposition at 110℃ on Transparent Glass/Plastic Substrates , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This article demonstrates good quality amorphous silicon thin film transistors (TFT) fabricated with a maximum processing temperature of 110℃ on glass or fiexible transparent plastic substrates, using rf plasma enhanced chemical vapor deposition. Hydrogen diluted silane was used for the preparation of the amorphous silicon (a-Si), while SiH_4/NH_3/N_2 or SiH_4/NH_3/N_2/H_2 mixtures were used for the preparation of silicon nitride (SiNx) films. Gate and source/drain metal was sputter deposited molybdenum. Plastic substrates were indium tin oxide (ITO) coated polyethylene terephthalate (PET). Transistors formed, using same processes, on glass and plastic show linear mobilities of 0.33 and 0.12 cm^2/Vs, respectively, with I_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Thin film transistor / 110℃ PECVD / Plastic substrate / Amorphous silicon / Stability |
| 資料番号 | EID98-252 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Amorphous Silicon Thin Film Transistors Formed by Plasma Enhanced Deposition at 110℃ on Transparent Glass/Plastic Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Thin film transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Chien-Sheng Yang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Unipac Optoelectronics Corp. |
| 発表年月日 | 1999/3/19 |
| 資料番号 | EID98-252 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 666 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |