| 講演名 | 1999/3/19 液晶セルの残留DCの評価 中園 祐司, 高木 敏行, 沢田 温, 苗村 省平, |
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| 抄録(和) | 等価回路を用いたシミュレーションと配向膜の異なる3種類のセルに対する残留DCの測定結果より、残留DC現象について考察した。液晶セルにDC電圧を印加すると、界面分極及び双極子分極が生じる。数分程度の残留DCについては、この分極によって説明できる。この分極自体はある程度の時間で緩和するが、界面分極に寄与した液晶層中のイオンの一部が液晶層と配向膜とめ界面に吸着される。一時間以上の長時間経過後に観測される残留DCは、この吸着されたイオンによる電気ポテンシャルで説明することが出来る。 |
| 抄録(英) | Residual DC phenomenon is discussed based on the simulation with equivalent circuit of LC cell and experiments for three kind of cells which has different alignment layer with different specific resistivity values. Interfacial and dipole polarization of multi layered dielectrics is caused by DC voltage application. r-DC observed in short time range (few min.) can be explained by this polarization. Even after the interfacial polarization is relaxed, however, some amount of ions, which moved close to the interface between the LC and the alignment layers, remain for a longer time due to an adsorption phenomenon. The observed r-DC voltage for a longer time range, typically over 1 hour, can be explained by this model of ion adsorption. |
| キーワード(和) | AM-LCD / イオン / 残留DC / 界面分極 |
| キーワード(英) | AM-LCD / ion / residual DC voltage / interfacial polarization |
| 資料番号 | EID98-242 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 液晶セルの残留DCの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of residual DC of LC Cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AM-LCD / AM-LCD |
| キーワード(2)（和/英） | イオン / ion |
| キーワード(3)（和/英） | 残留DC / residual DC voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 界面分極 / interfacial polarization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中園 祐司 / Yuji Nakazono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 敏行 / Toshiyuki Takagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 沢田 温 / Atsushi Sawada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 苗村 省平 / Shohei Naemura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 発表年月日 | 1999/3/19 |
| 資料番号 | EID98-242 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 666 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |