| 講演名 | 1999/3/19 Newly developed low power impregnated cathode for CRT's , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In the development of low power Impregnated cathode, to decrease heater power the Taguchi Method has been used. The newly developed low power impregnated cathode can be applied to a new electron gun -we call this technology "L-SAGIC"- enabling the CRT'S to achieve good performance, high resolution and brightness. * Low power cathode type SAGIC** ** Small Aperture G1 with Inpregnated Cathode |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Low power / Impregnated cathode / Taguchi methode / Cathode structure, L-SAGIC |
| 資料番号 | EID98-239 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Newly developed low power impregnated cathode for CRT's |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / H. Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | SONY Corp., Display Device Process Engineering Department |
| 発表年月日 | 1999/3/19 |
| 資料番号 | EID98-239 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 666 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |