| 講演名 | 1999/3/18 Laser doping technique for II-VI semiconductors, ZnSe and CdTe , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The p-type doping of wide band gap II-VI semiconductors is a key technology for the formation of ohmic contacts with metal electrodes in device fabrication. Using alkaline metal compounds such as Na_2Se or Na_2Te, which contain dopant atoms, laser doping experiments were carried out for ZnSe and CdTe. The influences of laser light treatment on the electrical properties of semiconductors were studied mainly by means of the Hall effect measurements and current-voltage (I-V) characteristics. As a result of p-type doping, the resistivity of ZnSe drastically decreased from 10^5 to 10^<-2> Ω cm and the value of hole carrier concentration increased up to 4.8x10^<19> cm^<-3>. Similarly, for CdTe the resistivity decreased from 10^5 to 10^&llt;-1> Ω cm. Formation of p-type ohmic contact in ZnSe and CdTe diodes was also investigated |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EID98-211 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/3/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Laser doping technique for II-VI semiconductors, ZnSe and CdTe |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Y. Hatanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institute of Electronics, Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1999/3/18 |
| 資料番号 | EID98-211 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 665 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |