| 講演名 | 1999/1/22 エレクトロクロミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質 喜多尾 道火児, 井沢 邦邦之, 山本 徳士, 巻淵 正樹, 浦部 和雄, |
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| 抄録(和) | エレクトロクロミック(EC)現象を示す遷移金属酸化物(WO_3およびNiO)膜を水素導入スパッタ法で作製した.この方法はスパッタ雰囲気(Ar/O_2)にさらに水素を導入する手法である.こうして得られたEC膜は水素導入量を変えることによって, as-depo.状態で酸化・還元の程度を任意に制御した膜を作ることができた.即ち任意の色の濃さを持つas-depo.膜を作ることができた.これはEC現象には膜内に含まれる水分子, 水酸基などによって強く影響されるためである.作製時に導入された水素と電気化学的に注入された水素の役割について, 赤外吸収や着色効率などの解析によって比較検討した. |
| 抄録(英) | Electrochromic(EC)transition metal oxide(WO_3 and NiO)films were prepared by sputtering method, which is introduced further hydrogen into the conventional sputtering atmosphere(Ar/O_2). Degree of redox of EC films thus obtained was controlled by introduced-hydrogen content in the atmosphere. Namely, as-deposited EC films could be fabricated at bleached to colored states. EC phenomena were storongly affected by lattice water and hydroxyl group in EC films. Roles of hydrogen introduced during preparation and injected by electrochemical procedure were discussed by measurements of infrared absorption spectra, coloration efficiency and so on. |
| キーワード(和) | エレクトロクロミズム / 遷移金属酸化物膜 / スパッタ膜 |
| キーワード(英) | Electrochromism / transition metal oxide films / sputtering films |
| 資料番号 | EID98-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/1/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エレクトロクロミック(EC)膜の水素導入スパッタ法による作製とその性質 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and properties of electrochromic(EC)films by the hydrogen-introduced sputtering method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロクロミズム / Electrochromism |
| キーワード(2)（和/英） | 遷移金属酸化物膜 / transition metal oxide films |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ膜 / sputtering films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 喜多尾 道火児 / M. Kitao |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井沢 邦邦之 / K. Izawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 徳士 / T. Yamamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 巻淵 正樹 / M. Makifuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浦部 和雄 / K. Urabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1999/1/22 |
| 資料番号 | EID98-120 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 550 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |