| 講演名 | 1999/1/22 MnとCrを共添加した酸化ガリウム蛍光体を用いる薄膜ELデバイス 久保田 佳寛, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | 簡易な成膜技術である湿式成膜法を用いて作製したMnとCrを共添加したGa_2O_3蛍光体をBaTiO_3セラミック絶縁形薄膜EL素子の発光層材料へ採用し、EL特性に対する共添加効果について検討した。Mn添加量を0.3at.%一定とし、Cr添加量を0から20at.%の範囲で変化させたGa_2O_3蛍光体薄膜EL素子において、いずれのCr添加量においても1kHz正弦波交流電圧駆動で100[cd/m^2]以上の高輝度発光を実現できた。発光色はCr添加量に依存し、Cr添加量の増加に伴い、発光色が緑から赤へと変化し、多色発光を実現できた。また、発光色は、素子を駆動する印加電圧にも依存し、印加電圧の増加に伴い発光色は緑から赤へと変化した。 |
| 抄録(英) | Multicolor-emitting TFEL devices with a Ga_2O_3 : Mn, Cr phosphor thin-film emitting layer and a thick BaTiO_3 ceramic sheet insulating layer have been fabricated. The thin-film emitting layer was prepared by a less expensive deposition process using metallic complex salts which are easy to handle. High luminances were obtained in Ga_2O_3 : Mn, Cr phosphor TFEL devices prepared with a constant Mn content of 0.3at.% and a Cr content of 0-20at.%. The emission color from Ga2O3 : Mn, Cr TFEL devices was dependent on the Cr content : the color changed from green to red. Besides, the emission color was also dependent on the applied voltage : the color changed from green to red as the applied voltage was varied. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / ディップコート法 / 蛍光体 / 酸化ガリウム / 薄膜EL素子 / 酸化物蛍光体 |
| キーワード(英) | electroluminescence / dip-coating / phosphor / Ga_2O_3 / TFEL device / oxide phosphor |
| 資料番号 | EID98-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MnとCrを共添加した酸化ガリウム蛍光体を用いる薄膜ELデバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mn and Cr co-doped Ga_2O_3 Phosphor TFEL Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | ディップコート法 / dip-coating |
| キーワード(3)（和/英） | 蛍光体 / phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化ガリウム / Ga_2O_3 |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜EL素子 / TFEL device |
| キーワード(6)（和/英） | 酸化物蛍光体 / oxide phosphor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久保田 佳寛 / Yoshihiro KUBOTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro MIYATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu MINAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学電子デバイスシステム研究所 Electron Device System Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/1/22 |
| 資料番号 | EID98-118 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 550 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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