講演名 1999/1/22
電子線蒸着法による青色発光SrS:Cu薄膜EL素子の作製と評価 : Cu添加濃度と熱処理の効果
木多 晋裕, 深田 晴己, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志,
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抄録(和) 電子線蒸着法によりSrS:CuCl薄膜を作製し、得られた薄膜をAr雰囲気中にて700℃および900℃で5分間アニール処理を行った。SrS:CuCl薄膜の結晶性は, 蒸着用ペレット中に仕込んだGaやClにより向上し、アニール処理を行うことによりさらに向上した。Cuの仕込み濃度が、0.1mol%の場合には約500nm, 0.2, 0.4, 0.8mol%の場合には約520nmにピークを持つフォトルミネッセンス(PL)スペクトルが得られた。PL強度は、アニール処理を行うことにより増加したが、PL、PL励起スペクトルはほとんど変化しなかった。このことからアニール処理することで、発光中心Cu^+のまわりの結晶場の状態はほとんど変化することなく、母体の結晶性のみが改善されたと思われる。
抄録(英) SrS : Cu, Cl thin fikms have been prepared by electron beam evaporation method. After deposition, thin films have been annealed at 700 and 900℃ for 5 minutes in Ar. The crystallinity of the SrS : Cu, Cl thin films is improved by adding Ga and Cl. The crystallinity of the films is further improved by the postannealing. The films prepared using the source pellet having Cu concentration of 0.1 mol% shows the photoluminescent(PL)emission peaking at 500 nm. The peak wavelength of the PL spectra shifts to 520 nm by increasing Cu concentration. The PL intensity is significantly increased by the annealing, however the spectra are not changed. The effect of post-annealing is thought to be not change of crystal field around Cu^+ centers but improvement of crystallinity of SrS lattices.
キーワード(和) 青色EL材料 / SrS:Cu / フォトルミネッセンス / 熱処理
キーワード(英) Blue emitting EL materials / SrS : Cu / Photoluminescence / Post-annealing
資料番号 EID98-116
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1999/1/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電子線蒸着法による青色発光SrS:Cu薄膜EL素子の作製と評価 : Cu添加濃度と熱処理の効果
サブタイトル(和)
タイトル(英) Blue Emitting SrS : Cu Thin Films EL Prepared by Electron Beams Evaporation Method : Effect of Cu Concentration and Post-annealing
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 青色EL材料 / Blue emitting EL materials
キーワード(2)(和/英) SrS:Cu / SrS : Cu
キーワード(3)(和/英) フォトルミネッセンス / Photoluminescence
キーワード(4)(和/英) 熱処理 / Post-annealing
第 1 著者 氏名(和/英) 木多 晋裕 / Kunihiro Kita
第 1 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tottori University
第 2 著者 氏名(和/英) 深田 晴己 / Haruki Fukada
第 2 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tottori University
第 3 著者 氏名(和/英) 大観 光徳 / Koutoku Ohmi
第 3 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tottori University
第 4 著者 氏名(和/英) 田中 省作 / Shosaku Tanaka
第 4 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tottori University
第 5 著者 氏名(和/英) 小林 洋志 / Hiroshi Kobayashi
第 5 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tottori University
発表年月日 1999/1/22
資料番号 EID98-116
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 550
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日