講演名 1999/1/22
SrS:Ce薄膜EL素子の動作機構の解析 : 空間電荷特性の温度依存性
村山 雅俊, 安藤 太郎, 西村 悟, Manuela Peter, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志,
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抄録(和) SrS:Ce薄膜EL素子における電気的特性の温度依存性を検討した。移動電荷量と発光層中に形成される動的空間電荷(Dynamic Space Charge)の温度依存性には対応関係があることを確認した。動的空間電荷の形成には熱的な励起過程があり、その活性化エネryギーは19[meV]である。室温においてみられる電圧の立ち下がり部分での発光が低温においても見られることより、低温で駆動したときにもCe^<3+>のイオン化は起こっている。電圧の立ち上がり部分ではターンオン電圧前に漏れ電流が観測された。電圧の立ち下がり部分の漏れ電流と同じように、電圧の立ち上がり部分の漏れ電流は、浅い界面準位に蓄えられていた電子が放出されたものであると思われる。低温での駆動時におけるターンオン前の漏れ電流は、電圧立ち下がり部分での漏れ電流に連続したものであると思われる。
抄録(英) The temperature dependence of the electrical characteristics of a SrS : Ce thin-film electroluminescent device is being investigated. The positive temperature dependence of the conduction charge is due to the positive temperature characteristics of the dynamic space charge. The dynamic space charge generation requires about 19 meV activation energy. From the significant trailing edge emission at low operating temperature, it is conclude, that Cerium ionization takes place even at low operating temperatures. At low operating temperatures a prethreshold current is observed at the leading edge. This pre-threshold current is attributed to charge stored at, and released from, shallow interface levels. At low temperature, the prethreshold current is concluded to be a mere continuation of leakage current.
キーワード(和) 薄膜EL素子 / SrS:Ce / 動的空間電荷 / 温度依存性
キーワード(英) Thin-film EL devices / SrS : Ce / dynamic space charge / Temperature dependence
資料番号 EID98-115
発行日

研究会情報
研究会 EID
開催期間 1999/1/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Information Displays (EID)
本文の言語 JPN
タイトル(和) SrS:Ce薄膜EL素子の動作機構の解析 : 空間電荷特性の温度依存性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study of Electrical Characteristics of SrS : Ce Thin-film EL devices : Characterization of Space Charge of Temperature dependence
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 薄膜EL素子 / Thin-film EL devices
キーワード(2)(和/英) SrS:Ce / SrS : Ce
キーワード(3)(和/英) 動的空間電荷 / dynamic space charge
キーワード(4)(和/英) 温度依存性 / Temperature dependence
第 1 著者 氏名(和/英) 村山 雅俊 / M. Murayama
第 1 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
第 2 著者 氏名(和/英) 安藤 太郎 / T. Ando
第 2 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
第 3 著者 氏名(和/英) 西村 悟 / S. Nishimura
第 3 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
第 4 著者 氏名(和/英) Manuela Peter / M. Peter
第 4 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
第 5 著者 氏名(和/英) 大観 光徳 / K. Ohmi
第 5 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
第 6 著者 氏名(和/英) 田中 省作 / S. Tanaka
第 6 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
第 7 著者 氏名(和/英) 小林 洋志 / H. Kobayashi
第 7 著者 所属(和/英) 鳥取大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tottori University
発表年月日 1999/1/22
資料番号 EID98-115
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 550
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日