| 講演名 | 1999/1/21 含浸形陰極のエミッション寿命とBa蒸発特性 田口 貞憲, 柴田 倫秀, 鈴木 行男, 佐々木 進, 野中 育光, 会田 敏之, |
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| 抄録(和) | 含浸形陰極のエミッション寿命終止点は、SタイプではBa消耗速度に依存する。Mタイプでは被覆膜の変質速度もしくはBa消耗速度のいずれかに律速する。どちらに属するかは動作温度による。定格動作温度1000℃では、Ba消耗速度に律速する。陰極からのBa蒸発エネルギの推移は、初期の約3eVから約4eVまでの変化過程、約4eVで推移する安定過程、急速に増大し寿命終止に至る過程の3過程からなっている。 |
| 抄録(英) | An S-type impregnated cathode depends on the Ba consumption for its life time, whereas an M-type the composition change of the coating film as well as the Ba consumption. For the latter cathode, the factor which ends the cathode life is determined by the cathode operation temperature. The lifetime determination factor for an M-type cathode, operating at 1000℃, is the Ba consumption rate. Activation energy of Ba evaporation process undergoes three stages during the cathode life. In the first stage, the energy increases from early ～3eV to ～4eV. Second stage is a stable period maintaining the activation energy of ～4eV. Finally the energy rapidly increases and the cathode life comes to an end. |
| キーワード(和) | 含浸形陰極 / エミッション特性 / Ba蒸発特性 / 寿命終止点 / 飽和電流密度 |
| キーワード(英) | impregnated cathode / emission characteristic / Ba evaporation characteristic / life end point / saturated current density |
| 資料番号 | EID98-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 含浸形陰極のエミッション寿命とBa蒸発特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission Life and Barium Evaporation Characteristic of Impregnated Cathodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 含浸形陰極 / impregnated cathode |
| キーワード(2)（和/英） | エミッション特性 / emission characteristic |
| キーワード(3)（和/英） | Ba蒸発特性 / Ba evaporation characteristic |
| キーワード(4)（和/英） | 寿命終止点 / life end point |
| キーワード(5)（和/英） | 飽和電流密度 / saturated current density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田口 貞憲 / S. Taguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所電子デバイス事業部 Electron Tube & Devices Div., Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 倫秀 / M. Shibata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所電子デバイス事業部 Electron Tube & Devices Div., Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 行男 / Y. Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所電子デバイス事業部 Electron Tube & Devices Div., Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 進 / S. Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所電子デバイス事業部 Electron Tube & Devices Div., Hitachi Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野中 育光 / Y. Nonaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所電子デバイス事業部 Electron Tube & Devices Div., Hitachi Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 会田 敏之 / T. Aida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立協和エンジニアリング(株) Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/1/21 |
| 資料番号 | EID98-91 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 549 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |