| 講演名 | 1999/1/21 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成 村松 隆広, 徐 應瑜, 青木 徹, 畑中 義式, |
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| 抄録(和) | 有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラン(((CH_3)_3Si)_2、HMDS)からプラズマCVD法およびリモートプラズマCVD法よりSiC薄膜を堆積した。基板へのSiC薄膜の接着性を向上させるために基板の表面エネルギーを高めるためには酸素プラズマを照射することが最も良いことがわかった。RFパワーを50W、チャンバー圧力を1.0Torr、基板温度を室温にすることで薄膜を高速に堆積することができた。UVをカットし、目的とするSiC薄膜を堆積することが出来た。 |
| 抄録(英) | SiC thin films were deposited by plasma CVD and remote plasma CVD method using hexamethyledisilane. It was found that the adhesibility of SiC thin film on the plastic substrate increases with the surface energy of the substrate which, in turn, can be increased by the Oxygen plasma treatment. Deposition rate was higher for the films deposited at room temperature using 50W rf power in plasma CVD method with a pressure of 1.0 Torr. The deposited films were useful for rejecting UV radiation. |
| キーワード(和) | プラズマCVD / リモートプラズマCVD / ヘキサメチルジシラン / SiC膜 / 表面エネルギー |
| キーワード(英) | Plasma CVD / Remote Plasma CVD / Hexamethyldisilane / SiC film / Surface energy |
| 資料番号 | EID98-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1999/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of SiC thin films using HMDS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマCVD / Plasma CVD |
| キーワード(2)（和/英） | リモートプラズマCVD / Remote Plasma CVD |
| キーワード(3)（和/英） | ヘキサメチルジシラン / Hexamethyldisilane |
| キーワード(4)（和/英） | SiC膜 / SiC film |
| キーワード(5)（和/英） | 表面エネルギー / Surface energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村松 隆広 / T. Muramatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徐 應瑜 / Xu Y |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / T. Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Y. Hatanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所:静岡大学電子科学研究科 Research Institute of Electronics, Shizuoka University:Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1999/1/21 |
| 資料番号 | EID98-89 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 549 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |