| 講演名 | 1999/1/21 ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製 高橋 直行, 貝谷 和彦, 大道 浩児, 中村 高遠, 百瀬 与志美, 山元 明, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 独自のハライドVPEによりサファイア基板上へのZnO薄膜の作製を行い、その構造と光学特性について検討した。ZnO薄膜の成長速度は成長温度の増加とともに増加し、950℃において約3μm/hとなった。X線回折測定の結果より、サファイア基板上にc軸配向のみを示すhexagonal構造のZnO薄膜が得られ、エピタキシャル成長していることがわかった。二結晶法によるZnO薄膜のFWHM(半値幅)は23.3分を示した。また、低温のホトルミネッセンス測定において370nm付近にZnOの励起子発光が観察された。これらの結果より、ハライドVPEにより良質のZnO薄膜が得られることがわかった。 |
| 抄録(英) | Zinc oxide(ZnO)films were deposited on sapphire(0001)substrates by halide vapor phase epitaxy(VPE)using ZnCl_2 as a chloride source. Growth rate of the ZnO film increased with increasing growth temperature. The maximum growth rate was about 3 μm/h at 950℃. The X-ray diffractogram showed a typical pattern of epitaxially grown ZnO with a hexagonal structure, and a full width at half-maximum(FWHM)of 23.3 minutes was obtained in the X-ray diffraction profile. A strong band edge emission at 370.0 nm was observed at 20 K photoluminescence spectra. |
| キーワード(和) | ZnO / エピタキシャル / ハライドVPE / ZnCl_2 / サファイア(0001) / 紫外発光 |
| キーワード(英) | ZnO / epitaxial / halide-VPE / ZnCl_2 / O_2 / sapphire(0001) / ultraviolet-emission |
| 資料番号 | EID98-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ハライドVPEによる紫外発光ZnO薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of ZnO Thin Films by Halide VPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル / epitaxial |
| キーワード(3)（和/英） | ハライドVPE / halide-VPE |
| キーワード(4)（和/英） | ZnCl_2 / ZnCl_2 |
| キーワード(5)（和/英） | サファイア(0001) / O_2 |
| キーワード(6)（和/英） | 紫外発光 / sapphire(0001) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 直行 / Naoyuki TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部物質工学科 Department of Materials Science, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 貝谷 和彦 / Kazuhiko KAIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部物質工学科 Department of Materials Science, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大道 浩児 / Kouji OMICHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部物質工学科 Department of Materials Science, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中村 高遠 / Takato NAKAMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部物質工学科 Department of Materials Science, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 百瀬 与志美 / Yoshimi MOMOSE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山元 明 / Hajime YAMAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工科大学工学部電子工学科 Department of electronics, Tokyo Engineering University |
| 発表年月日 | 1999/1/21 |
| 資料番号 | EID98-85 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 549 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |