| 講演名 | 1998/7/3 液晶材料に流れる定常電流に対する実験的検討 高木 敏之, 中園 祐司, 沢田 温, 苗村 省平, |
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| 抄録(和) | シアノ系液晶材料4-(trans-4-pentylcyclohexyl)benzonitry(PCH-5)に対して定常電流の電圧依存性および温度依存性の実験を行った。その結果、低電圧領域(<0.3V)では印加電圧の増加に伴う導電率の低下が確認された。0.3V～1Vの領域では、印加電圧の増大に伴う導電率の増大が認められた。電気二重層を想定した解析により、印加電圧が0.3V～1Vの範囲における定常電流はショットキー効果によるものと考えられることが分かった。また、温度依存性実験からITO電極に対し液晶材料の伝導帯への電子注入のエネルギーを算出した。 |
| 抄録(英) | Steady-state current measurements for a liquid crystalline material, 4-(trans-4-pentylcyclohexyl)benzonitryl (PCH-5), were performed. It was found that conductivity decreases with increasing applied DC voltage in a lower voltage region (<0.3V). In a higher voltage region (from 0.3 to 1V), conductivity increases with increasing voltage. Assuming an existence of electric double layers on the electrode surfaces, it is considered that the steady-state current in the range from 0.3 to 1V is caused by Schottky effect. The injection energy of an eletron from electrodes to the LC material was calculated from observed temperature dependence of the steady-state current. |
| キーワード(和) | 定常電流 / 電気二重層 / 導電率 / ショットキー効果 |
| キーワード(英) | Steady-state current / Electric double layer / Conductivity / Schottky effect |
| 資料番号 | EID98-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1998/7/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 液晶材料に流れる定常電流に対する実験的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Steady-state Current for Liquid Crystalline Material |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 定常電流 / Steady-state current |
| キーワード(2)（和/英） | 電気二重層 / Electric double layer |
| キーワード(3)（和/英） | 導電率 / Conductivity |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー効果 / Schottky effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 敏之 / Toshiyuki Takagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中園 祐司 / Yuji Nakazono |
| 第 2 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 沢田 温 / Atushi Sawada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 苗村 省平 / Shohei Naemura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター Atsugi Technical Center, Merck Japan Limited |
| 発表年月日 | 1998/7/3 |
| 資料番号 | EID98-30 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 165 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |