| 講演名 | 1998/6/25 レーザアニールp-Si膜の特性評価 三島 康由, 菅 勝行, 竹内 文代, |
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| 抄録(和) | ELA(エキシマレーザアニール)結晶化技術を用いて形成したポリシリコン膜の結晶特性、TFT素子特性とレーザアニール条件との相関を検討した。その結果、結晶粒径の大きさを決定する要因としてエキシマレーザビームのプロファイル、パルス強度が大きく影響することがわかった。また、レーザ照射前のa-Si膜表面の自然酸化膜の有無によってもレーザ照射後の結晶粒の成長に影響を及ぼしていることが確認された。結晶粒径の不均一性は、TFT素子特性のばらつきに影響を及ぼす。その影響は、特に電界効果移動度が最大値になるレーザ照射領域で大きいため、TFT素子特性をより均一化するにはより厳密な制御が必要である。 |
| 抄録(英) | Excimer laser-annealed polycrystalline silicon (poly-Si) films have been investigated. The uniformity of these films was mainly determined by pulse-to-pulse laser energy fluctuations and beam profiles. The native oxide of a-Si films also influenced the surface roughness of poly-Si films. The fluctuation of crystallinity in the threshold region exerts a strong influence on the TFT characteristics. Because the crystallinity of laser-annealed poly-Si has a narrow threshold energy region, the improvement of the uniformity of the TFT characteristics is needed more exact control of crystallization parameters. |
| キーワード(和) | エキシマレーザ / 結晶性 / 結晶粒径 / 表面凹凸 / 均一性 |
| キーワード(英) | Excimer laser / crystallinity / grain size / surface roughness / uniformity |
| 資料番号 | EID98-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 1998/6/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザアニールp-Si膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of laser-annealed polycrystalline silicon films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エキシマレーザ / Excimer laser |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶性 / crystallinity |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶粒径 / grain size |
| キーワード(4)（和/英） | 表面凹凸 / surface roughness |
| キーワード(5)（和/英） | 均一性 / uniformity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三島 康由 / Yasuyoshi Mishima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所基盤技術研究所LCD研究部 Fujitsu laboratories Ltd. Electron Devices and Materials Lab. LCD Lab. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅 勝行 / Katsuyuki Suga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所基盤技術研究所LCD研究部 Fujitsu laboratories Ltd. Electron Devices and Materials Lab. LCD Lab. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 文代 / Fumiyo Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所基盤技術研究所LCD研究部 Fujitsu laboratories Ltd. Electron Devices and Materials Lab. LCD Lab. |
| 発表年月日 | 1998/6/25 |
| 資料番号 | EID98-19 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 151 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |